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NCP3155A ， NCP3155B
缩短采样时间发生在高占空比的地方
低侧MOSFET关断，为广大的切换
期。缩短采样时间导致的错误
调节电压的升压销。高占空比/输入
电压引起的抽样误差可能导致增加
提高纹波电压或比预期DC升压电压高。
图38列出了所有的操作区域。
推荐工作条件列于
区域1 （绿），其中0.1
MF，
25 V陶瓷电容器
可以被放置在所述升压销，而不会造成损坏
设备或MOSFET的。发生较大的提升纹波电压
在几个开关周期中示出区域2 （黄色） 。
升压脉动频率是取决于输出
电容选择。纹波电压也不会损坏
设备或
$12
V闸额定的MOSFET。
条件下的最大升压电压纹波可以
损坏设备或
$12
10V栅极MOSFET的额定能
可见在3区（橙色） 。将升压电容器，
不大于3.3 nF的对升压销限制了最大
升压< 12 V.典型的驱动波形
区域1,2和3（绿，黄，橙）区域
图38示于图39 。
BOOST电压等级
正常工作
（ 1区）
增加升压纹波
（不过在规格）
（ 2区）
增加升压纹波
电容器优化
需要（ 3区）
24
区域3
22
20
18
输入电压
16
14
12
10
8
6
4
2
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
71%
11.5V
区域1
区域2
最大
税
周期
22V
占空比
图38.安全工作区的升压电压与0.1
mF
电容
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