PMG370XN
N沟道
μTrenchMOS
极低的水平FET
MBD128
版本01 - 2004年2月13日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
在一个塑料封装，使用N沟道增强型音响场效晶体管
的TrenchMOS 技术。
1.2产品特点
s
表面贴装封装
s
低通态电阻
s
足迹比SOT23小40 ％
s
低阈值电压。
1.3应用
s
驱动电路
s
开关在便携式电器。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
30 V
s
P
合计
≤
0.69 W
s
I
D
≤
0.96 A
s
R
DSON
≤
440 m.
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
4
5
6
钢钉 - SOT363 （ SC - 88 ） ，简化的外形和符号
描述
漏极（四）
漏极（四）
栅极（G ）
源极（S ）
漏极（四）
MBB076
简化的轮廓
6
5
4
符号
d
g
s
漏极（四）
1
顶视图
2
3
MSA370
SOT363 （ SC -88 ）
