BZX85C...
日前，Vishay
半导体
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明）
2.0
P
合计
- 总功耗（ W）
C
D
- 二极管电容（pF ）
1000
1.6
100
V
R
= 0V
V
R
= 2V
V
R
= 5V
V
R
= 20V
V
R
= 30V
1.2
l=4mm
0.8
l=20mm
0.4
0
–50
l=10mm
10
1
0
50
100
150
200
95 9616
F = 1 MHz的
T
AMB
= 25°C
0
10
20
30
40
50
60
95 9612
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
Z
- z - 电压（V）
图1.总功耗对比
环境温度
R
thJA
- 千卡。抗拒。结/环境（K / W）
250
r
Z
- 微分Z-电阻（
W
)
图3.二极管电容与Z-电压
1000
I
Z
=1mA
100
2mA
5mA
10mA
20mA
10
200
150
l
100
50
0
0
5
10
15
T
L
=常数
20
25
30
L - 引线长度（mm ）
l
1
1
95 9615
10
V
Z
- z - 电压（V）
100
95 9613
图2.热电阻与导线长度
Z
THP
- 脉冲电导率热阻。 （K / W）
1000
t
p
/T=0.01
t
p
/T=0.1
100
t
p
/T=0.5
t
p
/T=0.2
10
单脉冲
t
p
/T=0.05
t
p
/T=0.02
图4.差分Z-电阻与Z-电压
D
T=T
JMAX
–T
AMB
R
thJA
=110K/W
i
ZM
=(–V
Z
+(V
Z2
+4r
zj
1
10
–1
10
0
10
1
t
p
- 脉冲宽度（毫秒）
10
2
D
T /
THP
)
1/2
)/(2r
zj
)
10
3
95 9614
图5.热响应
文档编号85608
牧师A4 ， 12 -MAR -01
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