BZX84-V-Series

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基本特征

(T

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

mA

10

3

10

2

100

T

J

= 25 °C

5

4

威世半导体

I

F

10

1

10

-1

10

-2

10

-3

10

-4

T

J

= 100 °C

r

zj

3

2

33

27

22

18

15

12

10

6.8/8.2

6.2

T

J

= 25 °C

10

5

4

3

2

10

-5

0

18114

1

0.2

0.4

0.6

0.8

1V

0.1

18119

2

5

1

2

5

V

F

10

I

Z

2

5

百毫安

图。 1 - 正向特性

图。 4 - 动态电阻与齐纳电流

mW

500

10

3

7

5

4

T

j

= 25 °C

400

R

zj

3

2

P

合计

300

47 + 51

43

39

36

10

2

200

7

5

4

3

2

100

0

0

18115

100

200 °C

10

0.1

18120

2

3

4 5

1

2

3 4 5

T

AMB

I

Z

10

mA

图。 2 - 容许功耗与环境温度

图。 5 - 动态电阻与齐纳电流

1000

5

4

3

2

K / W

10

3

T

J

= 25 °C

5

4

3

2

R

ZTH

= R

THA

X V

Z

x

V

Z

T

j

r

zj

R

ZTH

100

5

4

3

2

10

2

5

4

3

2

10

5

4

3

2

2.7

3.6

4.7

5.1

5.6

10

5

4

3

2

负

积极

1

0.1

18117

2

5

1

1

18121

2

3

4 5

1

2

5

10

I

Z

2

5

百毫安

10

2

3 4 5

100 V

V

Z

在我

Z

= 5毫安

图。 3 - 动态电阻与齐纳电流

图。 6 - 热微分电阻与齐纳电压

修订版1.9 ， 08日-12月11

文档编号： 85763

4

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