SSM6N16FU
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
SSM6N16FU
高速开关应用
模拟开关应用
·
·
适合于高密度安装，由于紧凑的封装
低导通电阻，R
on
= 3.0
（最大值） （ @V
GS
= 4 V)
: R
on
= 4.0
（最大值） （ @V
GS
= 2.5 V)
: R
on
=
15
（最大值） （ @V
GS
=
1.5
V)
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25 ℃） （ Q1 ， Q2公用）
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
（注）
T
ch
T
英镑
等级
20
±10
100
200
200
150
-55~150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
漏极功耗（大
=
25°C)
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-2J1C
g
注：总的评价
记号
6
5
4
等效电路
6
5
4
重量：
Q1
DS
Q2
1
2
3
1
2
3
操作注意事项
当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保该环境
防止静电电。操作人员应穿防静电服装，以及集装箱等
这都与设备直接接触的物体应采用防静电材料。
1
2002-01-15
