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595D
固体钽芯片电容器
TANTAMOUNT保形涂层,
最大CV
性能特点
1.
工作温度:
电容器被设计成
工作在该温度范围
- 55 ° C至+ 85°C 。
电容器可以被操作至+ 125 ℃,电压
降额至三分之二的+ 85°C的评价。
+ 85°C评级
浪涌
工作
电压
电压
(V)
(V)
4 .0
5.2
6.3
8.0
10
13
16
20
20
26
25
32
35
46
50
65
+ 125°C评级
浪涌
工作
电压
电压
(V)
(V)
2.7
3.4
4.0
5.0
7.0
8.0
10
12
13
16
17
20
23
28
33
38
日前,Vishay斯普拉格
6.
耗散因数:
耗散因子,
从表达2πfRC确定,不得
超过该标准的评分表列出的值。
测量应在桥的方法制成
在,或简称, 120赫兹和一个频率
温度为+ 25 ℃。
泄漏电流:
电容器应在稳定
额定温度30分钟。额定电压
应施加到电容器用5分钟。
功率的稳定信号源(如经调节的功率
供应)与1000欧姆的电阻器串联连接的
与被测电容来限制充电
电流。漏电流应再进行测量。
需要注意的是,漏电流随温度变化的
与施加的电压。见下图的
适当的调整系数。
1.1
6.1
7.
2.
直流工作电压:
的直流工作电压是
最大工作电压在连续工作
额定温度。
浪涌电压:
浪涌DC评级是最大
电压施加到该电容器可经受
任何条件,包括瞬变和峰下
波纹在最高线电压。
浪涌电压测试:
电容器应承受
浪涌串联施加电压用33欧姆± 5%的
电阻器的二分之一分上,一半的速率
分断,在+ 85°C , 1000连续测试
周期。
以下的浪涌电压测试中,耗散因数
和漏电流应满足初始
要求;电容不得有
变化超过±10%。
电容容差:
所有的电容
电容器应在规定的公差范围内
的正常等级的限制。
电容测量应由方式进行
极化电容电桥。偏光
电压应如此大规模的,有应
没有由于AC分量极性反转。该
期间施加到电容器的最大电压
测量应为2伏均方根值在120Hz处
+ 25°C 。如果所施加的交流电压小于二分之一
电压有效值,无直流偏置要求。的准确度
桥应在± 2 % 。
电容随温度的变化:
电容随温度不得
超过电容的以下百分比
在+ 25℃下测定:
- 55 °C
- 10 %
+ 85 °C
+ 10 %
+ 125 °C
+ 12 %
典型漏电流系数范围
100
3.
+ 125 °C
+ 85 °C
10
+ 55 °C
3.1
漏电流系数
+ 25 °C
1.0
0 °C
3.2
0.1
- 55 °C
4.
4.1
0.01
0.001
0
10
20
30 40 50 60 70 80
额定电压的百分比
90 100
7.1
7.2
7.3
5.
在+ 25 ° C,
泄漏电流不应超过
在标准评分表列出的值。
在+ 85°C ,
漏电流应不超过10
时代在标准额定值表中列出的值。
在+ 125°C ,
漏电流应不超过12
时代在标准额定值表中列出的值。
文档编号: 40007
修订: 16日-12月05
如有技术问题,请联系: tantalum@vishay.com
www.vishay.com
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