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初步数据表
RJL60S5DPK-M0
600V - 20A - SJ MOS FET
高速电源开关
特点
超结MOSFET
内置的快速恢复二极管
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.150
（典型值） 。 （在我
D
= 10 A，V
GS
= 10 V ，TA = 25C ）
高速开关
R07DS0818EJ0002
Rev.0.02
2012年6月21日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZH -A
（包名称： TO- 3PSG ）
D
G
1.门
2.漏（法兰）
3.源
1
2
3
S
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
体漏二极管反向漏电流峰值
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注：1。总胆固醇最大限制。
2.价值在Tc = 25℃
3. STCH = 25 ° C，总胆固醇
150C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
Note1
I
DR （脉冲）
PCH
Note2
θch -C
总胆固醇
TSTG
Note1
评级
600
(+30), (20)
20
40
20
40
192.3
0.65
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
° C / W
C
C
R07DS0818EJ0002 Rev.0.02
2012年6月21日
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