高级技术信息
PolarHV
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
IXTA4N80P
IXTP4N80P
V
DSS
= 800
= 3.6
I
D25
R
DS （ ON）
≤
3.4
V
A
Ω
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 18
Ω
T
C
= 25°C
最大额定值
800
V
800
V
±
30
±
40
3.6
8
2
20
250
10
100
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
A
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
TO- 263 （ IXTA ）
G
S
（ TAB ）
的TO-220 （ IXTP ）
G
S
（ TAB ）
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
塑料机身10秒
安装力矩
(TO-220)
TO-220
TO-263
300
°C
260
°C
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
4
g
3
g
特点
国际标准封装
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100μA
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
800
3.0
5.5
±100
5
150
3.4
V
V
nA
μA
μA
Ω
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
≤
300
μs,
占空比
≤
2 %
2006 IXYS公司所有权利
DS99596E(08/06)
