TrenchMV
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
IXTH280N055T
IXTQ280N055T
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
= 55V
= 280A
≤
3.2mΩ
Ω
TO- 247 （ IXTH ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSM
I
D25
I
LRMS
I
DM
I
A
E
AS
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至175 ℃的
T
J
= 25° C到175 ° C，R
GS
= 1MΩ
短暂
T
C
= 25°C
铅电流限制， RMS
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
最大额定值
55
55
±
20
280
75
600
40
1.5
550
-55 ... +175
175
-55 ... +175
V
V
V
A
A
A
A
J
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
g
国际标准封装
175 ° C工作温度
额定雪崩
低R
DS （ ON）
优势
G =门
S =源
D
=漏
TAB =漏
G
G
D
S
（ TAB ）
TO-3P （ IXTQ ）
D
S
（ TAB ）
1.6毫米从案例（ 0.062英寸） 10秒
塑料体10秒
安装力矩（ TO- 247 ） （ TO- 3P ）
TO-247
TO-3P
300
260
1.13 / 10
6.0
5.5
特点
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0V
T
J
= 150°C
V
GS
= 10V,
I
D
= 50A,
注意事项1， 2
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
55
2.0
4.0
V
V
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
汽车
- 电机驱动器
- 高边开关
- 12V电池
- ABS系统
DC / DC转换器和离线式UPS
小学 - 边开关
大电流开关应用
±200
nA
5
250
2.6
μA
μA
3.2 mΩ
2008 IXYS公司，保留所有权利。
DS99630A(07/08)
