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初步技术信息
TRENCH
T2
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
IXTA230N075T2
IXTP230N075T2
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
= 75V
= 230A
≤
4.2mΩ
Ω
TO- 263 （ IXTA ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSM
I
D25
I
LRMS
I
DM
I
A
E
AS
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
1.6毫米从案例（ 0.062英寸） 10秒
塑料体10秒
安装扭矩（ TO- 220 ）
TO-263
TO-220
测试条件
T
J
= 25 ℃至175 ℃的
T
J
= 25° C到175 ° C，R
GS
= 1MΩ
短暂
T
C
= 25°C
铅电流限制， RMS
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
最大额定值
75
75
±
20
230
75
700
115
850
480
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
1.13 / 10
2.5
3.0
V
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
g
G =门
S =源
D
=漏
TAB =漏
G
S
（ TAB ）
的TO-220 （ IXTP ）
G
D
S
（ TAB ）
特点
国际标准封装
175 ° C工作温度
高电流处理能力
低R
DS （ ON）
优势
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0V
T
J
= 150°C
V
GS
= 10V ，我
D
= 50A ，注意事项1， 2
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
75
2.0
4.0
V
V
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
电机驱动器
大电流开关DC到DC
变流器
±200
nA
5
μA
150
μA
4.2 mΩ
2008 IXYS公司，保留所有权利。
DS100042(09/08)
