BR93L □□ -W系列， 93A □□ -wm系列， BR93H □□ -WC系列
4 ）写使能（ WEN ） /禁用（ WDS ）周期
½½
技术说明
CS
SK
1
2
3
4
5
6
7
8
½½
n
ENABLE = 1 1
DISABLE = 0 0
DI
1
0
0
½½
½½
BR93L46 -W / A46 - WM ： N = 9
BR93L56-W/A56-WM
: n=11
BR93L66-W/A66-WM
BR93L76-W/A76-WM
: n=13
BR93L86-W/A86-WM
DO
高-Z
图63写使能（ WEN ） /禁用（ WDS ）周期
○
上电时，该IC是由内部复位电路写入禁止状态。执行写入命令之前，它是
必要执行写使能命令。而且，一旦该命令被执行时，它是有效的自已的写禁止
命令被执行，或者电源被关闭。然而，读命令是有效的，不论写使能/迪亚布勒
命令。输入SK后6个时钟此命令的可通过任一“H”或“L” ，但一定要输入它。
○
当写使能命令上电后执行，写使能状态的获取，当写命令禁止
被执行，那么，在IC中获取写入禁止地位一样，在上电，然后写命令将被取消
此后在软件的方式。然而，读命令是可执行的。在写允许状态，即使在写
命令是由错误输入，写操作被启动。为了防止这样的错误，推荐以执行写入禁止
写入完成后命令。
5 ）擦除周期时间（ ERASE ）
½½
½½
TCS
CS
½½
状态
½½
½½
½½
SK
1
2
4
½½
n
½½
½½
DI
1
1
1
Am
½½
½½
A3
A2
A1
A0
½½
TSV
BUSY就绪
½½
TE / W
½½
½½
BR93L46 -W / A46 - WM ：N = 9 ， M = 5
BR93L56-W/A56-WM
：N = 11 ， M = 7
BR93L66-W/A66-WM
BR93L76-W/A76-WM
：N = 13 ， M = 9
BR93L86-W/A86-WM
DO
高-Z
图64擦除周期时序
In
该命令时，指定地址的数据被制成“1”。指定地址的数据变为“ FFFFh时” 。
真正的擦除开始于CS的A0采取SK时钟的下降沿后回落。
在擦除，状态可以以相同的方式被检测为在WRITE命令。
6 ）芯片擦除周期时序（ ERAL ）
½½
½½
TCS
CS
状态
½½
½½
½½
½½
SK
1
2
4
½½
n
½½
DI
1
0
0
1
0
½½
TSV
½½
½½
BR93L46 -W / A46 - WM ： N = 9
BR93L56-W/A56-WM
: n=11
BR93L66-W/A66-WM
BR93L76-W/A76-WM
: n=13
BR93L86-W/A86-WM
DO
高-Z
BUSY就绪
½½
TE / W
图65芯片擦除周期时序
In
此命令，所有地址的数据被擦除。所有地址的数据变为“ FFFFh时” 。
实际擦除开始于CS的从起始位输入的第n个时钟的falll后下降。
在全部擦除，状态可以以相同的方式被检测为在WRITE命令。
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