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SiHG30N60E
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Vishay Siliconix公司
E系列功率MOSFET
产品概述
V
DS
（五）在T
J
马克斯。
R
DS （ ON）
最大。在25℃ （ ）
Q
g
最大。 （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
130
15
39
单身
D
特点
650
0.125
低图-的品质因数（ FOM ）R
on
X Q
g
低输入电容（C
国际空间站
)
降低开关和传导损耗
超低栅极电荷（Q
g
)
额定雪崩能量（ UIS）
材质分类：对于定义信息，请
SEE
www.vishay.com/doc?99912
应用
服务器和电信电源
开关模式电源（ SMPS ）
功率因数校正电源供应器（ PFC ）
灯光
- 高强度放电（ HID ）
- 荧光灯镇流器照明
- LED照明
=工业
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动器
电池充电器
可再生能源
- 太阳能（光伏逆变器）
TO-247AC
G
S
D
G
S
N沟道MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
铅（ Pb），且无卤
TO-247AC
SiHG30N60E-E3
SiHG30N60E-GE3
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
栅源电压AC （F > 1赫兹）
连续漏电流（T
J
= 150 °C)
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
最大功率耗散
工作结存储温度范围
漏源电压斜率
反向二极管
dv / dt的
d
10秒
焊接建议（峰值温度）
T
J
= 125 °C
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
dv / dt的
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
600
± 20
30
29
18
65
2
690
250
- 55至+ 150
37
18
300
c
W / ℃，
mJ
W
°C
V / ns的
°C
A
V
单位
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最高结温。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 28.2 mH的，R
g
= 25
,
I
AS
= 7 A.
。 1.6毫米的情况。
D.我
SD
I
D
，的di / dt = 100 A / μs的，起始物为
J
= 25 °C.
S12-3103 -REV 。 E， 24日-12月12
文档编号： 91455
1
如有技术问题，请联系：
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本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
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