恩智浦半导体
74HC4066 ; 74HCT4066
四单刀单掷模拟开关
[4]
[5]
t
关闭
是相同为T
PZH和
t
PZL
.
C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
V
CC2
f
i
+
{(C
L
+ C
sw
)
V
CC2
f
o
- 其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
{(C
L
+ C
sw
)
V
CC2
f
o
} =产出的总和;
C
L
=以pF输出负载电容;
C
sw
=以pF开关电容;
V
CC
在五=电源电压
表10.动态特性74HCT4066
GND = 0 V ;吨
r
= t
f
= 6纳秒;
L
= 50 pF的，除非特定网络版除外;测试电路见
图12 。
V
is
是在一个YN或Z终端，取被分配作为输入的输入电压。
V
os
为输出电压在一个YN或Z终端，取被分配作为输出。
符号参数
t
pd
传播
延迟
打开-O FF时间
条件
纽约到新西兰或新西兰到纽约;
L
=
;
SEE
图10
V
CC
= 4.5 V
t
关闭
NE到纽约或新西兰;看
图11
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 15 pF的
t
on
开启时间
NE到纽约或新西兰;看
图11
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 5.0 V ;
L
= 15 pF的
C
PD
每个交换机的功耗;
电容
V
I
= GND为（V
CC
1.5 V)
典型值是在T测
AMB
= 25
C.
t
pd
是相同为T
PHL
和T
PLH
.
t
on
是相同为T
PHZ
和T
PLZ
.
t
关闭
是相同为T
PZH和
t
PZL
.
C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
V
CC2
f
i
+
{(C
L
+ C
sw
)
V
CC2
f
o
- 其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
{(C
L
+ C
sw
)
V
CC2
f
o
} =产出的总和;
C
L
=以pF输出负载电容;
C
sw
=以pF开关电容;
V
CC
在五=电源电压
[5]
[3]
[4]
[2]
40 C
+85
C
民
典型值
[1]
最大
40 C
+125
C
单位
民
最大
-
-
-
-
-
-
3
20
16
12
12
12
15
44
-
30
-
-
-
-
-
-
-
-
18
53
-
36
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
pF
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
74HC_HCT4066
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