半导体
技术参数
概述
此沟道MOSFET具有更好的特性，如快速
开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良
雪崩特性。它主要适用于DC / DC转换器，
同步整流和电池负载开关电源
应用
特点
V
DSS
= 75V ，我
D
= 170A
·漏源
导通电阻：
R
DS （ ON）
= 3.4mΩ （最大） @V
GS
= 10V
KU034N08P
N沟道沟槽MOS FET
K
最大额定值
(Tc=25℃)
特征
漏源电压
栅源电压
@T
C
=25℃
漏电流
@T
C
=100℃
脉冲（注1）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
重复性雪崩能量
（注1 ）
峰值二极管恢复的dv / dt
（注3）
耗电
耗散
Tc=25℃
P
D
减免上述25 °
T
j
T
英镑
1.54
150
-55 ~ 150
W/℃
℃
℃
I
DP
E
AS
E
AR
dv / dt的
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
106
424*
1,000
19
4.5
192
mJ
mJ
V / ns的
W
A
等级
75
±20
170*
单位
V
V
最高结温
存储温度范围
热特性
热阻，结到外壳
热阻，
结到环境
R
thJC
R
thJA
0.65
62.5
℃/W
℃/W
*：漏电流受最高结温。
基于最大允许结温计算的连续电流
引脚连接
2012. 5. 14
版本号： 0
1/7
