电气特性
表13.推荐工作条件（ 5.0 V） （续）
价值
符号
V
DD_BV4
参数
VDD_BV引脚（稳压电源）与SR电压
相对于地面（Ⅴ
SS
)
条件
民
—
电压降
2
相对于V
DD
V
SS_ADC
V
DD_ADC5
在VSS_HV_ADC0 ， VSS_HV_ADC1 SR电压
（ ADC参考）销相对于地面（Ⅴ
SS
)
在VDD_HV_ADC0 ， VDD_HV_ADC1 SR电压
（ ADC参考）相对于地（Ⅴ
SS
)
—
—
电压降
2
4.5
3.0
3.0
V
SS
0.1
4.5
3.0
最大
5.5
5.5
V
DD
+ 0.1
V
SS
+ 0.1
5.5
5.5
V
V
V
单位
相对于V
DD
V
DD
0.1 V
DD
+ 0.1
V
IN
在任何GPIO引脚SR电压相对于地
(V
SS
)
在过载时的引脚SR注入电流输入
条件
所有的SR绝对值之和注射期间的输入电流
过载状态
SR V
DD
坡度，以保证正确的上电
6
—
相对于V
DD
—
—
—
f
中央处理器
< 64兆赫
7
—
f
中央处理器
< 64兆赫
7
—
f
中央处理器
< 64兆赫
7
—
V
SS
0.1
—
5
50
—
40
40
40
40
40
40
—
V
DD
+ 0.1
5
50
0.25
85
110
105
130
125
150
V / μs的
°C
mA
V
I
INJPAD
I
INJSUM
TV
DD
T
A C级部分
在偏SR环境温度
T
J·C级部分
在偏SR结温
T
A V级部分
在偏SR环境温度
T
V级部分
在偏SR结温
T
A M级部分
在偏SR环境温度
T
J·M级部分
在偏SR结温
1
2
3
4
5
6
7
100nF的电容需要被各V之间设置
DD
/V
SS
对。
全部设备操作为设计保证当电压低于4.5 V下降到3.0 V.然而，某些
模拟电气特性将不能保证留在规定范围内。
330 nF的电容需要被各V之间设置
DD_LV
/V
SS_LV
供应对。
470 nF的电容需要被V之间设置
DD_BV
和最近的V
SS_LV
（较高的值，可能需要
取决于外部调节器的特性） 。当电源电压斜坡上升，对V的斜率
DD_BV
应
小于0.9V
DD_HV
为了保证设备不进入调节器旁路模式。
100nF的电容需要被V之间设置
DD_ADC
/V
SS_ADC
对。
通过设备验证保证。请参阅
第4.5.1节， “外部镇流电阻的建议
为
最小V
DD
为保证坡度，以保证正确的上电情况下的外部电阻的使用。
该频率包含4 ％的频率调制保护频带。
记
RAM数据保持保证与V
DD_LV
不低于1.08 V.
MPC5607B单片机数据手册，第6
38
飞思卡尔半导体公司
