电气特性
4.5
4.5.1
热特性
外部镇流电阻的建议
在V外部限流电阻
DD_BV
销有助于减少设备内的整体功耗。此电阻器
只有当最大功耗超过了封装热特性施加的限制要求。
如上述
表14
LQFP热特性，考虑到144的LQFP热阻为48.3 ℃/ W，在常温
温度T
A
= 125 ℃时，结点温度T
j
将跨越150 ℃，如果总功耗是大于
（ 150 - 125 ） /48.3 = 517毫瓦。因此，总的器件电流I
DDMAX
在125℃ / 5.5 V，不能超过94.1毫安（即
PD / VDD ） 。假设平均余
DD
(V
DD_HV
15-20 mA的典型消费过程中设备运行模式下， LV域）
消费我
DD
(V
DD_BV
因此）被限制在我
DDMAX
– I
DD
(V
DD_HV
），即80毫安。
因此，尊重的最大功率允许在解释
第4.5.2节， “包热特性，
这是
推荐使用这种电阻器只能在125°C / 5.5 V工作角球按照以下准则：
如果我
DD
(V
DD_BV
） < 80 mA时，则没有电阻。
如果80毫安<我
DD
(V
DD_BV
） < 90毫安，然后4
电阻器可以被使用。
如果我
DD
(V
DD_BV
） > 90毫安，然后8
电阻器可以被使用。
在4-8的范围内使用性
,
增益将围绕总消费量的V 10-20 ％
DD_BV
。例如，如果有8个
电阻器使用，那么功耗，当我
DD
(V
DD_BV
）为110毫安折合电力消耗时，
I
DD
(V
DD_BV
）为90天线（约）时，不使用电阻。
为了确保正确的加电时，最小V
DD_BV
以保证为30ms / V 。如果电源斜坡比这慢
值，然后LVDHV3B监控镇流器电源V
DD_BV
脚被触发，导致器件复位。直到电源达到
一定的门槛，这种低电压检测（ LVD ）产生系统复位的破坏性事件。该阈值取决于
最大余
DD
(V
DD_BV
）可以穿过外部电阻。
4.5.2
封装热特性
表14. LQFP封装热特性
1
符号
C
参数
条件
2
单层板 - 1秒
价值
引脚数
最小典型最大
100
144
176
四层板 - 2S2P
100
144
176
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
64
64
64
49.7
48.3
47.3
36
38
38
33.6
33.4
33.4
° C / W
单位
° C / W
R
θJA
CC 热电阻，
结到环境的自然
对流
3
R
θJB
CC
热阻，
结对板
4
单层板 - 1秒
100
144
176
四层板 - 2S2P
100
144
176
MPC5607B单片机数据手册，第6
飞思卡尔半导体公司
39
