FAN3121 / FAN3122 - 单9 ，高速，低侧栅极驱动器
应用信息
该FAN3121和FAN3122系列提供的版本
TTL或CMOS输入配置。在
FAN3121T和FAN3122T ，输入阈值满足
行业标准的TTL逻辑阈值无关
在V
DD
电压，且有一个滞后电压
约0.7 V.这些级别允许输入
可以从一个范围的输入逻辑信号电平的驱动
它的电压超过2 V被认为是逻辑高电平。该
驱动信号为TTL逻辑电平应该有快速上升
和或下降沿与6V / μs的转换速率快，所以
从0到3.3伏的上升时间应是550纳秒或更小。
该FAN3121和FAN3122的输出可以启用或
使用EN引脚具有非常快速的反应被禁用
时间。如果EN没有外部连接，内部上拉
电阻能够通过默认的驱动程序。 EN引脚具有
逻辑阈值的零件TTL或CMOS IN
阈值。
在FAN3121C和FAN3122C ，逻辑输入
阈值是依赖于在V
DD
级和，V字形
DD
12伏的，逻辑上升沿阈值是约
Ⅴ的55％的
DD
和输入下降沿阈值
V约38 ％
DD
。该CMOS输入
CON组fi guration
报价
a
迟滞
电压
of
Ⅴ的约17％
DD
。 CMOS输入即可
与相对缓慢的边缘（接近直流） ，如果使用
良好的去耦和旁路技术是
在系统设计中，以防止噪声引入
违反输入电压滞后窗。这
可以通过安装一个RC设定精确的时间间隔
该控制信号和IN引脚之间的电路
该驱动程序。慢上升沿的IN引脚
司机介绍的控制信号之间的延迟
和驱动器的输出管脚。
对于在应用中以零电压开关
MOSFET的导通和关断的时间间隔，司机用品
高的峰值电流进行快速的切换，即使在
米勒平台不存在。这种情况常发生
在同步整流器应用，因为身体
二极管通常在进行MOSFET是前
接通。
输出引脚的压摆率是由V确定
DD
电压
和输出上的负载。这不是用户可调的，但
串联电阻可以加入，如果一个较慢的上升或下降时间
在MOSFET的栅极是必要的。
图46.米勒驱动器输出架构
欠压锁定（UVLO ）
该FAN312x启动逻辑进行了优化，推动地面
引用的N沟道MOSFET与一个欠电压
锁定（UVLO）功能，以确保在IC开始在
有序推进。当V
DD
正在上升，但低于
4.0 V操作层面上，这个电路保持输出低电平，
不管输入引脚的状态。部分后
激活时，电源电压必须前下降0.25 V
部分关闭。这种滞后有助于防止颤振
当低V
DD
电源电压有噪声的
电源开关。该结构不适合于
驱动高侧P沟道MOSFET ，因为低
驱动器的输出电压将变成P型沟道
MOSFET与V
DD
低于4.0 V.
静态电源电流
在我
DD
（静态）典型性能特性，
该曲线与生产的所有输入/启用浮动
（ OUT为低） ，并且指示该最低静态我
DD
当前
对于测试的配置。对于其他国家，更多的
电流流过输入端上的100 k电阻
并输出，如图中的框图
（参见图
7).
在这些情况下，实际的静态I
DD
电流是
从该曲线得到的值，加上这个附加
电流。
V
DD
旁路和布局的注意事项
该FAN3121和FAN3122是在任一可
8引脚SOIC或MLP封装。在任一包装，该
V
DD
管脚1和8以及GND引脚4和5应
在PCB上的连接在一起。
在典型FAN312x栅极驱动器应用中，高电流
需要的脉冲充电和栅极放电
功率MOSFET为50纳秒或更小的时间间隔。一
旁路电容器具有低ESR和ESL应
在V之间的直接连接
DD
和GND引脚
提供这些大电流脉冲，而不会造成
不能接受的纹波在V
DD
供应量。为了满足这些
的1 F在一个小尺寸的要求，一个陶瓷电容器
以上是通常使用的，用介电材料例如
如X7R，来限制电容的变化比
温度和/或电压应用范围。
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MillerDrive 栅极驱动技术
FAN312x栅极驱动器纳入MillerDrive
如图46所示。对于输出级架构，一个
双极MOS管组合装置提供大
电流在很宽范围的电源电压和
的温度变化。双极型器件扛
当前的散装之间1/3至2/3 OUT波动
V
DD
与MOS器件拉输出到HIGH或
低轨道。
密勒驱动结构的目的是为了
通过提供在高电流加速切换
米勒平坦区时的栅极 - 漏极电容
MOSFET被充电或放电的的一部分
的接通/关断过程。
2008飞兆半导体公司
FAN3121 / FAN3122 版本1.0.2
