汽车级
PD -
97681
AUIRFR4620
特点
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HEXFET
功率MOSFET
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
无铅，符合RoHS
汽车合格*
D
G
S
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D
D
200V
64m
:
78m
:
24A
描述
专为汽车应用，这HEXFET
功率MOSFET采用最新的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。的附加功能
这样的设计是175 ° C的结温工作，快速切换
速度和改进的重复雪崩额定值。这些功能
结合起来，使该设计的一个非常有效和可靠
装置，用于在汽车应用中使用和各种其它的
应用程序。
S
G
D- PAK
AUIRFR4620
G
D
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只;和
该设备在这些或超出了规格标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。置身于absolute-
长时间最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。热敏电阻和功率耗散额定值下测
电路板安装和静止空气条件。环境温度（T
A
）是25℃ ，除非另有说明。
符号
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
雪崩电流
重复性雪崩能量
马克斯。
24
17
100
144
0.96
± 20
113
参见图。 14，15， 22A，22B，
54
-55 + 175
300
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
c
c
d
峰值二极管恢复
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
（ 1.6毫米的情况下）
e
c
°C
热阻
符号
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装）
结到环境
j
参数
典型值。
马克斯。
1.045
50
110
单位
° C / W
i
–––
–––
–––
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
www.irf.com
1
06/10/11
