AUIRF7319Q
2.0
P沟道
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
=
-
4.9A
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻（
Ω
)
0.6
0.5
1.5
0.4
1.0
0.3
0.5
0.2
V
GS
= -4.5V
0.1
0.0
-60 -40 -20
V
GS
=
-
10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
= -10V
A
T
J
，结温（
°
C)
0.0
0
10
-I
D
，漏电流（ A）
20
30
图16 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
图17 。
典型导通电阻比。漏
当前
R
DS （上
)
，漏极 - 源极导通电阻（
Ω
)
0.16
300
E
AS
，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
250
0.12
ID
顶部
-1.3A
-2.2A
BOTTOM -2.8A
200
0.08
I
D
= -4.9A
150
100
0.04
50
0.00
0
3
6
9
12
15
A
0
25
-V
GS
，门-to -Source电压（ V）
起始物为
J
，结温（
°
C)
50
75
100
125
150
图18 。
典型导通电阻比。门
电压
图19 。
最大雪崩能量
与漏电流
8
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