8XC196MC
工艺信息
此设备上PX29 5 CHMOS制造
III -E过程的附加工艺和可靠性Infor公司
息是可
该
英特尔品质
系统手册。
8XC196MC存储器映射
描述
外部存储器或I O
内部ROM或EPROM外部
内存（由EA决定）
保留必须包含FFH
（注5 ）
PTS载体
上中断向量
ROM EPROM安全密钥
270946 – 16
地址
0FFFFH
06000H
5FFFH
2080H
207FH
205EH
205DH
2040H
203FH
2030H
202FH
2020H
201FH
201CH
201BH
201AH
2019H
2018H
2017H
2014H
2013H
2000H
1FFFH
1F00H
1EFFH
0200H
01FFH
0018H
0017H
0000H
保留必须包含FFH
（注5 ）
保留必须包含20H
（注5 ）
CCB1
保留必须包含20H
（注5 ）
CCB0
保留必须包含FFH
（注5 ）
较低的中断向量
例子
N87C196MC是84引脚PLCC OTPROM
16兆赫
有关完整的包维数据参考
英特尔包装手册（订单号240800 ）
记
1的EPROM可作为一次性可编程
（ OTPROM ）仅
图3中的8XC196MC家庭命名
热特性
包
TYPE
PLCC
QFP
SDIP
i
ja
35 C宽
56 C宽
待定
i
jc
SFR公司
13 C宽
12 C宽
待定
488字节RAM寄存器（注1 ）
CPU SFR的（注1 3 ）
外部存储器
所有的热阻抗数据是近似的静态空气
在功耗值1W的条件将改变
根据操作条件和应用见
英特尔
包装手册
（订单号240800 ）的
英特尔的热阻抗测试方法说明
笔记
1位置0000H到03FFH执行的代码会
强制外
2保留的内存位置必须包含0FFH ，除非
注意
3保留SFR位的位置必须包含0
4参见8XC196KC为SFR的说明
5
警告
保留的内存地址不能为
写入或读取这些某一地址的内容，或功能
阳离子可以与该设备的未来版本更改
因此，依赖于一个或一个以上的这些程序
地点可能无法正常工作
3
