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嵌入式闪存特性
表97 。
DC闪光特性
符号
T
PU
I
SB
参数
上电延时
待机电流
@85°C
到VDDCORE = 1.8V
到VDDFLASH = 3.3V
随机读取@ 40MHz的
到VDDCORE = 1.8V
到VDDFLASH = 3.3V
I
CC
工作电流
写
到VDDCORE = 1.8V
到VDDFLASH = 3.3V
500
8.0
A
mA
条件
民
最大
30
0
30
5.0
1.0
单位
S
A
mA
最高工作频率列于表97 ，但通过嵌入式闪存存取时间时处理的限制
SOR的取码出来。表98给出了该设备的最大工作频率取决于该领域的FWS
MC_FMR寄存器。该字段定义访问嵌入式闪存所需的等待状态的数目。
表98 。
嵌入式闪存等待状态
FWS
0
1
2
3
读操作
1周
2循环
3循环
4个周期
最大工作频率（MHz ）
40
1/(t
CPMCK
)
1/(t
CPMCK
)
1/(t
CPMCK
)
表99 。
AC闪存特性
参数
项目周期
每个没有自动擦除页
整片擦除
10
2
ms
ms
条件
每包括自动擦除页
民
最大
4
单位
ms
420
AT91SAM7S32初步
6071A–ATARM–28-Oct-04
