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ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E
发送器输出和接收器输入具有相似
保护结构。接收器输入端还可以消散一些
通过内部5千欧（或22千欧的能量
ADM3310E ）电阻GND以及通过保护
二极管。
接收器
输入
R
IN
D1
02915-030
数据表
ESD测试（ IEC 1000-4-2 ）
IEC 1000-4-2 （前801-2 ）指定符合性测试
使用两个耦合的方法，接触放电和空气隙
放电。接触放电要求的直接连接
单元被测试。气隙放电使用更高的测试电压，但
不会使正在测试的单元直接接触。同
空气放电，放电枪移向下单元
测试，开发穿过气隙的电弧，从而术语
空气排出。此方法是通过湿度的影响，
温度，气压，距离和闭合的速率
的放电枪。接触放电法，而少
现实，更多的是重复的和正在被接受的
优先于空气隙的方法。
虽然很少的能量被包含在ESD脉冲内，
加上高电压的极快的上升时间
导致无保护的半导体故障。灾难
破坏可以作为电弧放电的结果，立即发生或
暖气。即使发生灾难性故障不会立即发生，
该设备可以从参数质量的损失，可以
导致性能下降。的累积效应
连续的曝光最终导致彻底失败。
I / O线特别容易受到ESD的损害。简单地
接触或在插入的I / O电缆可导致静态
放电会损坏或完全报废接口
产物连接到I / O端口。传统的ESD测试
方法，如MIL -STD- 883B方法3015.7 ，不
全面测试产品的易感性这种类型的分泌物。这
测试的目的是测试产品的易感性的ESD
搬运过程中损坏。
每个引脚相对于所有其他引脚进行测试。有一些
传统的测试和IEC之间的重要区别
测试。
IEC的测试更加严格的排放方面
能量。喷射出的峰值电流超过4倍。
电流上升时间是显著在IEC试验更快。
IEC的试验进行的同时加电到
装置。
它是可能的ESD放电能诱导闩锁在
被测设备。这个测试，因此，比较有代表性的
一个真实的世界I / O排放，其中设备运行
通常与电源应用。为了心中的最大的和平，
然而，这两个测试应该执行，从而确保最大
无论是在操控性和稍后在现场服务保障。
Rx
D2
图30.接收器输入保护方案
Tx
D1
D2
发射机
产量
图31.发射机输出保护计划
该ADM3307E保护方案略有不同（见
图32和图33）。接收器输入端，发射器
输入和发送器输出包含两个背到背高
加快钳位二极管。接收器输出（ CMOS输出） ，
在SD和EN引脚，包含一个单一的反向偏置的高速
钳位二极管。在最大正常运行
CMOS信号电平，接收器输出，SD ，和EN保护
二极管没有影响，因为它们被反向偏置。如果，
然而，该电压超过大约15V，反向击穿
发生，并且电压被钳位在这个水平。如果电压
达到-0.7 V时，二极管正向偏置和电压
钳位在这个水平。接收器输入端还可以消散
一些能量通过内部5kΩ的电阻GND
以及通过保护二极管。
接收器
输入
R
IN
D1
D3
02915-032
Rx
接收器
产量
D2
图32. ADM3307E接收器输入保护方案
发射机
产量
D3
D4
Tx
D1
发射机
输入
图33. ADM3307E变送器输出保护方案
保护结构实现ESD保护高达± 15千伏
在所有的RS - 232 I / O线（以及所有CMOS线路，包括SD和
EN为ADM3307E ） 。对于用于测试的方法
保护方案，请参阅ESD测试（ IEC 1000-4-2 ）部分。
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