ADG441/ADG442/ADG444
沟槽隔离
在ADG441A ， ADG442A和ADG444A ，绝缘
氧化物层（沟道）被放置在NMOS和之间的
各CMOS PMOS晶体管进行切换。寄生路口，
隔离在结晶体管之间不存在
开关，可以消除，其结果是一个完全闭锁
防爆开关。
在结隔离中， PMOS的N和P井
NMOS晶体管的形成被反向偏置下的二极管
正常操作。然而，在过压的条件下，这
二极管变为正向偏置。硅控整流器
（SCR）的类型的电路是由两个晶体管使形成
当前的显著放大，这反过来，导致
闭锁。用沟槽隔离，该二极管是除去，实现了
结果是闩锁防爆开关。
NMOS
PMOS
的LoCo
P阱
N阱
TRENCH
埋氧层
衬底（背栅）
05233-004
图21.沟槽隔离
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