AD8400/AD8402/AD8403
参数
动态特性
6, 10
带宽的-3 dB
总谐波失真
V
W
建立时间
电阻的噪声电压
相声
11
1
2
符号
BW_1
THD
W
t
S
e
NWB
C
T
条件
R = 1kΩ的
V
A
= 1 V RMS + 2 V DC ，V
B
= 2 V DC ， F = 1千赫
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V ，± 1％的误差带
R
WB
= 500 Ω ， F = 1 kHz时， RS = 0
V
A
= V
DD
, V
B
= 0 V
民
典型值
1
5,000
0.015
0.5
3
65
最大
单位
千赫
%
μs
纳伏/赫兹÷
dB
标准结构代表平均读数在25℃和V
DD
= 5 V.
电阻位置非线性误差R- INL是最大电阻和最小电阻雨刮器之间测量的理想值之间的偏差
位置。 R- DNL测量连续抽头位置之间的相对阶跃变化从理想。看到测试电路如图38.我在
W
= 500 μA的V
DD
= 3 V和
I
W
= 2.5毫安V
DD
= 5 V为1 kΩ的版本。
3
V
AB
= V
DD
，雨刮器（V
W
） =无连接。
4
INL和DNL在VW处测量与被配置为类似于一个电压输出的D / A转换器的电位计分压器的RDAC 。 V
A
= V
DD
和V
B
= 0 V.
±1 LSB DNL最大规格限制，保证单调的工作条件。见测试电路如图37 。
5
电阻端子A，电阻端B和电阻端W无极性限制，相对于对方。
6
通过设计保证，不受生产测试。电阻端电容测试测量与被测终端上2.5 V偏压。
其余的电阻器端子处于开路。
7
测得的AX终端。所有AX终端是开路的关断模式。
8
当输入逻辑电平为2.4伏， CMOS逻辑电路的一个标准特性最差情况下的电源电流被消耗。参见图28对我的阴谋
DD
与逻辑电压。
9
P
DISS
从（我计算
DD
× V
DD
） 。 CMOS逻辑电平输入导致最小的功耗。
10
所有的动态特性采用V
DD
= 5 V.
11
测量在V
W
脚的地方相邻V
W
销使一满刻度电压的变化。
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