VNL5160N3-E
VNL5160S5-E
OMNIFET III
全面保护低侧驱动器
特点
2
TYPE
VNL5160N3-E
41 V
VNL5160S5-E
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V
钳
R
DS （ ON）
160 mΩ
I
D
3.5 A
1
SOT-223
2
3
SO-8
漏电流： 3.5A
ESD保护
过压钳位
热关断
电流和功率限制
极低的待机电流
极低的电磁敏感性
符合2002/95 / EC欧洲
指示
开漏状态输出
(a)
专门用于R10W或2x R5W
汽车信号灯
描述
该VNL5160N3 - E和VNL5160S5 -E是
单片器件，制成使用
意法半导体
的VIPower
技术，
用于驱动电阻性或电感性负载
带的一端连接到电池。内建的
热关断保护从芯片
过热和短路。输出电流
限制保护装置中的过载
条件。在一个持续时间长的过载的情况下，
该设备限制的耗散功率为安全
等级达到热关断干预。
热关断，自动重启，使
该设备尽快恢复正常运行
故障状态消失。快
电感性负载的退磁的情况下实现
关断。
一。适用于VNL5160S5 -E只。
表1中。
设备简介
订购代码
管
磁带和卷轴
VNL5160N3TR-E
VNL5160S5TR-E
包
SOT-223
SO-8
VNL5160N3-E
VNL5160S5-E
2012年2月
文档ID 16364第2版
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