STB18NM80 ， STF18NM80 ，
STP18NM80 ， STW18NM80
N沟道800 V ， 0.25
Ω
17 A，的MDmesh 功率MOSFET
,
在DPAK ，TO- 220FP ，TO- 220和TO- 247封装
数据表 - 生产数据
特点
订购代码
STB18NM80
STF18NM80
STP18NM80
STW18NM80
V
DSS
800 V
800 V
800 V
800 V
R
DS （ ON）
最大
< 0.295
Ω
< 0.295
Ω
< 0.295
Ω
< 0.295
Ω
I
D
3
3
1
2
17 A
17 A
(1)
17 A
17 A
1
DPAK
TO-220FP
1.有限只能由最高允许温度
3
■
■
■
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
1
2
2
1
3
TO-220
TO-247
应用
■
图1 。
内部原理图
切换应用程序
描述
这些N沟道功率MOSFET
采用意法半导体的开发
革命性的MDmesh 技术，该技术
相关联的多个排水过程中
公司的PowerMESH 水平布局。
这些器件均提供极低的导通电阻，
高dv / dt和优异的雪崩
的特点。采用意法半导体独有的带
技术，这些功率MOSFET拥有一个
整体的动态性能，优于
同类产品在市场上。
表1中。
设备简介
记号
包
DPAK
TO-220FP
18NM80
STP18NM80
STW18NM80
TO-220
TO-247
管
包装
磁带和卷轴
订购代码
STB18NM80
STF18NM80
2012年5月
这是在满负荷生产一个产品信息。
文档ID 15421第5版
1/21
www.st.com
21
