交换特定网络阳离子
在推荐的温度（T
A
= -40 ° C至+ 105 ° C） ， 3.0V ≤ V
DD
≤ 3.6V和4.5 V≤ V
DD
≤ 5.5 V.
所有典型的特定连接的阳离子是在T
A
= + 25 ° C，V
DD
= +3.3V.
参数
传播延迟时间
为逻辑低电平输出
[2]
传播延迟时间
为逻辑高电平输出。
[2]
脉冲宽度
脉冲宽度失真
[3]
传播延迟偏斜
[4]
输出上升时间
(10% – 90%)
输出下降时间
(90% - 10%)
共模瞬变
免疫力的逻辑高电平输出
[5]
符号
t
PHL
t
PLH
t
PW
| PWD |
t
PSK
t
R
t
F
| CMH |
分钟。
典型值。
25
21
马克斯。
55
55
单位
ns
ns
ns
测试条件
I
F
= 6毫安，C
L
= 15pF的
CMOS信号电平
I
F
= 6毫安，C
L
= 15pF的，
CMOS信号电平
66.7
0
4
25
40
3.5
3.5
10
30
15
35
15
35
ns
ns
ns
ns
KV / μs的
KV / μs的
KV / μs的
KV / μs的
I
F
= 6毫安，C
L
= 15pF的，
CMOS信号电平
I
F
= 6毫安，C
L
= 15pF的
CMOS信号电平
I
F
= 6毫安，C
L
= 15pF的
CMOS信号电平
I
F
= 6毫安，C
L
= 15pF的
CMOS信号电平
V
CM
= 1000 V ，T
A
= 25°C,
I
F
= 0 mA时（图18 ）
采用Avago的应用电路
（图13）
V
CM
= 1000 V ，T
A
= 25°C,
I
F
= 6 mA时（图18 ）
采用Avago的应用电路
（图13）
共模瞬变
免疫力逻辑低输出
[6]
| CML |
10
30
封装特性
所有典型在T
A
= 25
°
C.
参数
输入 - 输出绝缘
符号
I
我-O
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
单位
μA
测试条件
45 ％RH下，吨= 5秒
V
我-O
= 3千伏直流，
T
A
= 25°C
相对湿度≤ 50％ ，T = 1分钟，
T
A
= 25°C
V
我-O
= 500 V DC
F = 1 MHz时，T
A
= 25°C
输入输出瞬间
耐压
输入，输出电阻
输入输出电容
V
ISO
R
我-O
C
我-O
3750
10
12
0.6
VRMS
pF
注意事项：
1.压摆率的电压斜坡建议，以确保没有毛刺小于1V多出现在输出引脚。
2. t
PHL
传播延迟是从50％ V开始测量
DD
对输入脉冲的上升沿，以50％的V电平
DD
在V的下降沿的水平
O
信号。吨
PLH
传播延迟是从50％ V开始测量
DD
对输入脉冲的到50 ％的V的下降沿电平
DD
的上升沿的水平
在V
O
信号。
3. PWD定义为|吨
PHL
- t
PLH
|.
4. t
PSK
等于在吨最坏的情况下二FF erence的幅度
PHL
和/或叔
PLH
将单元之间，在内部的任何给定的温度下可见
推荐工作条件。
5. CM
H
是共模电压的上升的最大容许速率，以保证该输出将保持在高逻辑状态。
6. CM
L
是落入共模电压的最大容许速率，以保证该输出将保持在逻辑低状态。
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