ICS8545
低偏移， 1到4 ， LVCMOS / LVTTL至LVDS扇出缓冲器
电源注意事项
本节提供了功耗和结温的ICS8545信息。
还提供了公式和计算示例。
1.
功耗。
总功耗的ICS8545是核心电源加在负载上耗散（多个）的功率的总和。
以下是对功耗V
DD
= 3.3V + 5％ = 3.465V ，这给了最坏的情况下的结果。
注：请参阅第3节的计算功率消耗在负载的详细信息。
功率（核心）
最大
= V
DD_MAX
* I
DD_MAX
= 3.465V * 50毫安=
173.25mW
2.结温。
结温， TJ ，是在接合线与接合焊盘的交界处的温度，并直接影响器件的可靠性。
建议的最高结温为HiPerClockS设备是125°C 。
根据上面的公式TJ如下：环境温度为
θ
JA
* Pd_total + T
A
TJ =结温
θ
JA
=结点至环境热阻
Pd_total =器件总功耗（例如计算在上述第1 ）
T
A
=环境温度
为了计算结温，相应结点到环境的热阻
θ
JA
必须使用。假设中等
的每分钟200英尺长和多层电路板的气流，合适的值是66.6 ° C / W的每下表6中。
因此，TJ为70℃的环境温度下与所有的输出开关是：
70 ° C + 0.173W * 66.6 ° C / W = 81.5 ℃。这大大低于125℃的上限。
该计算仅是一个例子。 TJ显然将取决于已加载的输出端，电源电压，空气流量和种类数
板（单层或多层）的。
表6.热性能及其
θ
JA
20引脚TSSOP ，强制对流
θ
JA
由速度
每分钟直线英尺
单层PCB板， JEDEC标准测试板
多层PCB ， JEDEC标准测试板
0
114.5°C/W
73.2°C/W
200
98.0°C/W
66.6°C/W
500
88.0°C/W
63.5°C/W
IDT / ICS
LVDS扇出缓冲器
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ICS8545BG REV 。 2008年10月28日
