2.2
电气特性
参数
测试条件
符号
VDD
(1)
VDDIO
(1)
ODR = 1.56赫兹
ODR = 6.25赫兹
ODR = 12.5赫兹
ODR = 50赫兹
民
1.95
1.62
典型值
2.5
1.8
6
6
6
14
I
dd
LP
24
44
85
165
24
24
24
24
I
dd
44
85
165
165
IDD启动
帽
I
dd
STBY
75
100
1.8
1
470
5
mA
nF
μA
μA
μA
最大
3.6
3.6
单位
V
V
表3.电气特性@ VDD = 2.5V ， VDDIO = 1.8V ， T = 25 ℃，除非另有说明。
电源电压
接口供电电压
低功耗模式
ODR = 100 Hz的
ODR = 200 Hz的
ODR = 400 Hz的
ODR ≤ 800赫兹
ODR = 1.56赫兹
ODR = 6.25赫兹
ODR = 12.5赫兹
ODR = 50赫兹
普通模式
ODR = 100 Hz的
ODR = 200 Hz的
ODR = 400 Hz的
ODR ≤ 800赫兹
在引导过程中序电流，最大0.5毫秒
持续推荐使用旁路电容
电容对BYP引脚值
待机模式电流@ 25°C
数字高电平输入电压
SCL，SDA ， SA0
数字低电平输入电压
SCL，SDA ， SA0
高电平输出电压
INT1 ， INT2
低电平输出电压
INT1 ， INT2
低电平输出电压
SDA
电源斜坡时间
从VDDIO和VDD >值V min的时间，直到我
2
C
准备就绪
开启时间（待机为ACTIVE ）
开启时间（关闭电源以主动模式）
工作温度范围
CBYP = 100 nF的
I
O
= 500
μA
I
O
= 500
μA
I
O
= 500
μA
VDD = 2.5V
-40°C 85°C
VDD = 2.5V ， VDDIO = 1.8V
待机模式
VIH
0.75*VDDIO
0.3*VDDIO
V
VIL
V
VOH
0.9*VDDIO
V
VOL
0.1*VDDIO
V
二卷
0.001
BT
吨
吨
顶部
-40
—
350
0.1*VDDIO
1000
500
V
ms
s
s
s
°C
2 / ODR + 1毫秒
2 / ODR + 2毫秒
+85
1.有电源排序没有要求。在VDDIO输入电压可以比VDD的输入电压高。
MMA8453Q
传感器
飞思卡尔半导体公司
7
