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CY7C1370D ， CY7C1372D
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度............................... -65 ° C至+150°C
环境温度与
电源应用......................................... -55°C至+ 125 ℃，
在V电源电压
DD
相对于GND .....- 0.5 V至4.6 V
在V电源电压
DDQ
相对于GND .... -0.5V至+ V
DD
直流输出三态..................- 0.5 V到V
DDQ
+ 0.5 V
直流输入电压................................ -0.5 V到V
DD
+ 0.5 V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压
（每MIL -STD -883方法3015 ） ........................... > 2001V
闩锁电流............................................... ..... > 200毫安
SEL
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+85°C
V
DD
V
DDQ
3.3 V - 5 ％ / 2.5 V - 5％
+10%
V
DD
中子软错误免疫性
参数
伦敦南岸大学
描述
合乎逻辑的
单位
冷门
合乎逻辑的
多比特
冷门
单一事件
闭锁
TEST
典型的条件
25 °C
361
马克斯*
394
单位
FIT /
Mb
FIT /
Mb
FIT /
开发
LMBU
25 °C
0
0.01
85 °C
0
0.1
*
在测试过程中未发生LMBU或SEL事件;
这列代表一个
统计
2
， 95 ％可信限计算。欲了解更多详情，请参阅
应用说明
AN54908 “加速中子SER测试与计算
地面故障率“ 。
电气特性
在整个工作范围
参数
[18, 19]
V
DD
V
DDQ
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
X
描述
电源电压
I / O电源电压
输出高电压
输出低电压
输入高
电压
[18]
对于3.3 V的I / O
对于2.5 V的I / O
对于3.3 V的I / O，I
OH
= -4.0毫安
对于2.5 V的I / O，I
OH
= -1.0毫安
对于3.3 V的I / O，I
OL
= 8.0毫安
对于2.5 V的I / O，I
OL
= 1.0毫安
对于3.3 V的I / O
对于2.5 V的I / O
输入低电压
[18]
对于3.3 V的I / O
对于2.5 V的I / O
输入漏电流除ZZ GND
V
I
V
DDQ
和MODE
模式的输入电流
ZZ的输入电流
I
OZ
输出漏电流
输入= V
SS
输入= V
DD
输入= V
SS
输入= V
DD
GND
V
I
V
DDQ ，
输出禁用
测试条件
民
3.135
3.135
2.375
2.4
2.0
–
–
2.0
1.7
–0.3
–0.3
–5
–30
–
–5
–
–5
最大
3.6
V
DD
2.625
–
–
0.4
0.4
V
DD
+ 0.3 V
V
DD
+ 0.3 V
0.8
0.7
5
–
5
–
30
5
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
笔记
18.过冲： V
IH （AC）的
＆ LT ; V
DD
+ 1.5 V（脉冲宽度小于T
CYC
/ 2 ） ，下冲： V
白细胞介素（AC）的
> -2 V （脉冲宽度小于T
CYC
/2).
19. T
上电
：假设从0 V线性上升到V
DD （分钟）
在200 ms以内。在这段时间V
IH
＆ LT ; V
DD
和V
DDQ
< = V
DD
.
文件编号： 38-05555牧师* N
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