VNS1NV04D
静态漏源导通电阻比。 ID
RDS（ON） （毫欧姆）
500
450
400
350
300
250
Vin=3.5V
Tj=150C
Vin=5V
Vin=3.5V
传输特性
Idon （ A）
2.25
2
Tj=25C
Vds=13.5V
1.75
1.5
1.25
1
0.75
0.5
0.25
200
150
100
50
Tj=25C
Vin=5V
Vin=3.5V
Tj=-40C
Vin=5V
Tj=150C
Tj=-40C
0
0
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
1.5
1.75
2
2.25
2.5
2.75
3
3.25
3.5
3.75
4
4.25
4.5
4.75
5
ID（ A）
输入电压（ V）
导通电流斜率
的di / dt （ A /美国）
6
导通电流斜率
的di / dt （ A /美国）
1.4
5
1.2
4
Vin=5V
Vdd=15V
Id=1.5A
1
Vin=3.5V
Vdd=15V
Id=1.5A
3
0.8
2
0.6
1
0.4
0
0
500
1000
1500
2000
2500
0.2
0
500
1000
1500
2000
2500
RG （欧姆）
RG （欧姆）
输入电压比。输入充电
输入电压（ V）
6
关闭漏源电压斜率
的dv / dt （V / US ）
350
5
300
Vds=12V
Id=0.5A
4
250
Vin=5V
Vdd=15V
Id=0.5A
200
3
150
2
100
1
50
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
500
1000
1500
2000
2500
QG （ NC ）
RG （欧姆）
9/14
1
1
