位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第509页 > IRFH7932TRPBF > IRFH7932TRPBF PDF资料 > IRFH7932TRPBF PDF资料1第6页
IRFH7932PbF
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（ MΩ）
16
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
14
12
10
8
6
4
2
0
2
3
4
5
6
7
8
ID = 25A
40
35
30
25
20
15
10
5
0
25
50
75
100
125
150
开始T J ，结温（ ° C）
ID
顶部
5.86A
6.91A
BOTTOM 20.0A
T J = 125°C
T J = 25°C
9
10
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图12 。
导通电阻比。栅极电压
图13 。
最大雪崩能量
与漏电流
15V
V
DS
V
GS
R
D
VDS
L
司机
R
G
V10V
GS
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1
D.U.T.
+
-
V
DD
RG
20V
D.U.T
IAS
tp
+
V
- DD
A
0.01
图14A 。
非钳位感应测试电路
V
（ BR ） DSS
tp
图15A 。
开关时间测试电路
90%
V
DS
10%
V
GS
I
AS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图14B 。
非钳位感应波形
图15B 。
开关时间波形
6
www.irf.com
