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BR25S
□□□
系列
3.写命令（写）
CSB
½½
½½
½½
技术说明
SCK
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
＆ frac12 ; ＆ frac12 ;
23
24
30
31
产品
数
BR25S320-W
BR25S640-W
BR25S128-W
※ ：别
CARE
地址
长
A11-A0
A12-A0
A13-A0
A14-A0
½½
½½
A1
A0
D7
D6
SI
SO
0
0
0
0
0
0
1
0
*
A14
A13
A12
＆ frac12 ; ＆ frac12 ;
½½
½½
D2
D1
D0
高-Z
BR25S256-W
Fig.36
写命令
通过写命令时， EEPROM的数据可以被写入。至于这个命令，设置CSB低，然后输入地址和数据
后写OPE代码。然后，通过CSB高， EEPROM中开始写作。 EEPROM的写入时间需要时间
TE / W的（最大为5ms ） 。在TE / W，比读状态寄存器命令，另一种是不能接受的。设置之间CSB高
以最后的数据（ D0）和不断上升的下一个SCK时钟。在其它定时，不执行写入命令，并且该写入
命令被取消。这种IC具有页写功能，并且数据的输入为1字节（8位）后，通过连续的数据输入
无需设置CSB HIGH ， 2字节以上的数据可以为一条TE / W写入。写入的字节的最大数目是
按每个容量的设备指定。多达64个任意的字节可以被写入（在BR25S128 / 256 - W的情况下） 。在页面
写的微不足道的5位指定地址的内部递增每次当1字节数据输入
和数据被写入相应的地址。时的最大字节数据或更高被输入时，地址翻转，并
先前输入的数据将被覆盖。
4.写状态寄存器，读状态寄存器指令（ WRSR / RDSR ）
CSB
SCK
0
1
2
3
4
5
6
7
bit7
8
9
bit6
10
bit5
11
bit4
12
bit3
13
bit2
14
bit1
15
bit0
SI
SO
0
0
0
0
0
0
0
1
WPEN
*
*
*
BP1 BP0
*
*
高-Z
* =无关
Fig.37
写状态寄存器
写状态寄存器指令可以写状态寄存器的数据。该数据可以被写入由该命令是3位，即
是， WPEN （第7位） ， BP1 （第3位）和BP0 （第2位）之间的8位状态寄存器。通过BP1和BP0 ，写禁止块
EEPROM可以被设置。至于这个命令，设置CSB低，写状态寄存器输入OPE代码，输入数据。
然后，通过CSB高， EEPROM开始写作。发表时间要求的tE / W为相同的写入时间。至于CSB上升，
公务员事务局设置高走的最后一个数据位（位0 ） ，下一个SCK时钟上升沿之间。在其它定时，命令是
取消了。写入禁止块由BP1 BP0决定的，并且该块可以从1/4，1/2来选择，以及整个
存储器阵列（参见写禁止块设定表）。到写禁止块，写入不能进行，并且只
读出可以进行。
CSB
SCK
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
SI
0
0
0
0
0
1
0
1
bit7
bit6
bit5
bit4
bit3
bit2
bit1
bit0
SO
高-Z
WPEN
0
0
0
BP1 BP0
文
R / B
Fig.38
读状态寄存器命令
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