
VUO68-08NO7
整流器器
符号
V
RSM
V
RRM
I
R
V
F
德网络nition
最大。重复反向阻断电压
反向电流,漏电流
评级
条件
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 150°C
T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
T
VJ
= 150 °C
d=
T
VJ
= 150 °C
0.82
12.2
1.1
0.4
T
C
= 25°C
T = 10毫秒; ( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3毫秒; ( 60赫兹) ,正弦
T = 10毫秒; ( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3毫秒; ( 60赫兹) ,正弦
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0 V
T
VJ
= 150 °C
V
R
= 0 V
T
VJ
= 45°C
V
R
= 0 V
T
VJ
= 150 °C
V
R
= 0 V
T
VJ
= 25°C
10
110
300
325
255
275
450
440
325
315
V
m
K / W
K / W
W
A
A
A
A
As
As
As
As
pF
分钟。
典型值。
最大。非重复反向阻断电压
马克斯。
900
800
40
1.5
1.15
1.50
1.12
1.39
70
单位
V
V
A
mA
V
V
V
V
A
V
R
= 800 V
V
R
= 800 V
I
F
=
I
F
=
I
F
=
I
F
=
20 A
60 A
20 A
60 A
正向电压降
I
DAV
V
F0
r
F
R
thJC
R
thCH
P
合计
I
FSM
桥输出电流
T
C
= 105°C
矩形
阈值电压
斜率电阻
只有功率损耗计算
热阻结到外壳
热电阻的情况下到散热器
总功耗
最大。正向浪涌电流
I了
价值融合
T = 10毫秒; ( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3毫秒; ( 60赫兹) ,正弦
T = 10毫秒; ( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3毫秒; ( 60赫兹) ,正弦
C
J
结电容
V
R
= 400 V ; F = 1 MHz的
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数据按每个半导体IEC 60747and除非另有规定
20130322a
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