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+ 72V ， SOT23 / TDFN封装，简单被囚热插拔
控制器
MAX5902/MAX5903
热插拔控制器
MAX5902
MAX5903
47k
5V逻辑
GND
开/关
GND
+ 9V至+ 72V
100k
V
S
开/关
GND
作者： 3.3V或更低逻辑控制可以连接
直接将MAX5902 / MAX5903 。在5V逻辑
控制INSERT A系列47千欧姆电阻，如图所示。
GND
热插拔控制器
MAX5902
图5.逻辑控制
图6.击败欠压锁定
导通和关断延迟
施加电源后，或开/关被释放时，有
一个150毫秒的延迟（T
ON
）的栅极电压的上升开始之前。
这个延迟也自动重启时间延迟。
中的断路器状态或过度的事件
温故障状态，关断延迟时间为
超过4微秒。欠压条件必须存在于
至少10毫秒（T
关闭
）的MAX5902 / MAX5903转弯前
关闭外部MOSFET 。 ON / OFF必须保持为低电平
至少10毫秒（T
关闭
）的MAX5902 / MAX5903前
关闭外部MOSFET 。关断延迟最小化
假停产，由于噪声信号或瞬时
电压尖峰，以及防止意外复位 -
断路器锁汀（ MAX5902L / MAX5903L ） 。
和+ 72V使用一个电阻分压器连接V之间
S
和GND的，该分压器连接 - 的中心节点
编到ON / OFF 。例如，使用的3kΩ电阻（ R1中
图3），从开/关到GND并计算其它
电阻（R2） ，采用：
V
R2
=
R1
×
UVLO
1
V
开/关
其中，V
UVLO
是所需的锁定电压，并
V
开/关
中指定的ON / OFF的参考阈值
该
电气特性
表（通常为1.26V ） 。
图3显示了一个示例电路与V
UVLO
对于设置
+ 18V 。打败UVLO只需连接一个单一的
ON / OFF和V之间的100kΩ的电阻
S
，如图
图6 。
热关断
热关断功能有助于保护外部
MOSFET。如果MAX5902的芯片温度/
MAX5903超过+ 125°C时，MOSFET关断。
为了获得准确的性能MAX5902 / MAX5903
必须是在与外部MOSFET导紧密热接触
FET 。见
布局指南
部分信息。
由于在低功耗
MAX5902 / MAX5903 ，其结温将典型
美云是在几度范围内的MOSFET的。所有ver-
在MAX5902 / MAX5903的sions自动重启
从温度故障时，结温
降到低于+ 110℃。
电源良好输出
电源良好输出，
PGOOD
（ PGOOD ） ，为开
漏，并断言，当外部MOSFET完全
加强和V
SD
小于断路器
阈值（V
CB
） 。对于没有断路器版本
功能（ MAX5902N / MAX5903N ）
PGOOD
（ PGOOD ）
断言当外部MOSFET完全。
PGOOD
4微秒时配备有内（ PGOOD ）拉高
断路器的事件发生，或者如果管芯温度超过
+125°C.
PGOOD
（ PGOOD ）拉高若V
S
＆ LT ; V
UVLO
为
超过10ms或ON / OFF不再保持低电平长于
10ms.
在MAX5902
PGOOD
是低电平有效的，并在MAX5903
PGOOD为高电平有效。无论是开漏N沟道
的MOSFET与它们的源极连接到GND，和
可承受高达72V + 。
欠压锁定
该MAX5902 / MAX5903关闭外部MOSFET
如果输入电压的幅值小于平
通过ON / OFF设定为长于10毫秒（叔
关闭
） 。如果开/关
悬空时，锁定电压（V
UVLO
)
默认为31.5V 。 V
UVLO
也可以被设置为任意值
电源范围内使用外部电阻之内
器。要设置锁定电压为+ 9V之间的值
8
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