P4SMA系列

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威世通用半导体

200

150

I

PPM

- 峰值脉冲电流， ％I

RSM

100

PEAK

价值

I

PPM

峰值正向浪涌电流（ A）

t

r

= 10 s

T

J

= 25 °C

脉冲宽度（T

d

)

被定义为点

哪里

峰值电流

衰减到第I 50％

PPM

T

J

= T

J

马克斯。

8.3ms单一正弦半波

100

50

半

价值

- I

PP

2

I

PPM

50

10/1000微秒波形

定义

by

R.E.A.

t

d

0

0

1.0

2.0

3.0

4.0

10

1

5

10

50

100

吨 - 时间（ms ）

数

环，在60赫兹的

图。 3 -

脉冲

波形

图。 6 -

最大非重复正向浪涌电流

单向用房

10 000

C

J

- 结电容（pF ）

1000

T

J

= 25 °C

F = 1.0 MHz的

V

SIG

= 50 MVP -P

在测

对峙

电压V

WM

单向

100

双向

10

1

10

100

200

V

BR

- 击穿

电压

(V)

图。 4 -

典型结电容

1000

瞬态热阻抗（ ℃/ W）

100

10

1

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

t

p

- 脉冲持续时间（ S）

图。 5 -

典型的瞬态热阻抗

修订： 13日-12月12

文档编号： 88367

4

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