BZT52-Series

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威世半导体

mA

50

V

5

Δ

V

Z

= r

ZTH

X我

Z

l

Z

T

j

= 25 °C

2.7

3.9 5.6

3.3 4.7

6.8

8.2

4

40

Δ

V

Z

3

I

Z

= 5毫安

30

2

20

TEST

当前

I

Z

5毫安

1

I

Z

= 2.5毫安

10

0

0

0

18160

20

40

60

80

100

V

0

18111

1

2

3

4

5

6

V

Z

7

8

9 10

V

V

Z

在我

Z

= 5毫安

图。 13 -

更改齐纳电压从打开上最多的点

热平衡与齐纳电压

图。 14 -

击穿特性

mA

30

10

12

T

j

= 25 °C

l

Z

20

15

18

22

TEST

目前10

I

Z

5毫安

27

33 36

0

0

18112

10

20

V

Z

30

40

V

图。 15 - 击穿特性

18157

图。 16 -

击穿特性

修订版1.8 ， 26 -FEB- 13

文档编号： 85760

6

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