数据表
功耗和散热考虑
充电器功耗
当
ADP5063
充电器工作在较高的环境温度
及其良好的最大电流充电和负载条件，
结温度可以达到的最大允许
125 ° C的工作极限。
当结点温度超过140 ℃，则
ADP5063
圈
断，使器件冷却下来。当芯片温度
低于110 ℃，并在TSD 140℃故障寄存器0x0D位
由我清理
2
C写的，在
ADP5063
恢复正常运行。
本节提供指引，以计算出所消耗的功率
在该装置，以保证
ADP5063
运行下面的
最大允许结温。
以确定在不同的可用功率耗散
在各种操作条件下的工作模式，利用
式（1）通过公式4 ：
P
D
=
P
LDOFET
+
P
ISOFET
其中：
P
LDOFET
是消耗在输入的LDO FET功率。
P
ISOFET
是消耗在电池隔离FET的功率。
计算出的功耗在LDO FET和电池
隔离FET使用公式2和公式3 。
P
LDOFET
= (V
IN
–
V
ISO_Sx
) × (I
CHG
+
I
负载
)
P
ISOFET
= (V
ISO_Sx
–
V
ISO_Bx
) ×
I
CHG
其中：
V
IN
是在VINx引脚的输入电压。
V
ISO_Sx
是在ISO_Sx引脚的系统电压。
I
CHG
是在电池的充电电流。
I
负载
是从ISO_Sx引脚的系统负载电流。
V
ISO_Bx
是在ISO_Bx引脚的电池电压。
(2)
(3)
(1)
ADP5063
式（3）当电池电压电平达到V
ISO_SFC
中，
功耗可通过公式4进行计算。
P
ISOFET
=
R
DSON
_
ISO
×
I
CHG
其中：
R
DSON_ISO
是在电池隔离FET的电阻
（在充电过程中一般为110毫欧） 。
I
CHG
是在电池的充电电流。
的热控制环路
ADP5063
自动限制
充电电流以保持模具温度低于T
LIM
（通常115 ℃）。
最直观，最实用的方法来计算功率
耗散的
ADP5063
设备是测量功率
消散在输入端和所有的输出。执行
测量在最坏的情况下（电压，电流，
和温度）。输入和输出之间的差
功率是耗散在设备的电源。
(4)
结温
在情况下，电路板温度，T
A
是已知的，所述热
电阻参数， θ
JA
可以用来估计结
温度上升。牛逼
J
从T已计算
A
和P
D
使用下面的公式
T
J
=
T
A
+ (P
D
×
θ
JA
)
(5)
典型的θ
JA
值的20引脚LFCSP封装为35.6 ℃/ W（见
表5）。要考虑的一个重要因素是， θ
JA
基于
在一个4层， 4 × 3 ， 2.5盎司铜板按照JEDEC
标准，而真实世界的应用程序可能使用不同大小
和层。它最大限度地铜去除是很重要的
热量从设备。铜暴露在空气中放热
比铜在内层使用更好。
如果外壳温度可以被测量，其结
温度由下式计算
T
J
=
T
C
+ (P
D
×
θ
JC
)
(6)
哪里
T
C
是的情况下温度和
θ
JC
是结到外壳
在表5中提供的热阻。
可以仅当达到充电器的可靠运行
的估计管芯结温
ADP5063
（式5）
低于125°C 。可靠性，平均无故障工作时间
（MTBF）有很大的影响通过增加的结温。
关于产品可靠性的更多信息，可以发现
在
ADI可靠性手册
位于以下网址：
http://www.analog.com/reliability_handbook 。
LDO模式
该系统调节电压是用户可编程的，从4.3 V
到5.0 V.在LDO模式（充电禁用， EN_CHG =低） ，
总功耗的计算被简化，假设
所有电流从VINx销绘制和电池
不ISO_Sx共享。
P
D
= (V
IN
–
V
ISO_Sx
) ×
I
负载
充电模式
在充电模式中，在ISO_Sx管脚的电压取决于
电池电量。当电池电压低于V低
ISO_SFC
（通常为3.4V ） ，在电池隔离FET上的电压降
越高，功率耗散，必须使用计算
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