CYRF89235
DC芯片级规范
下表列出了最大和最小规格为整个电压和温度范围内。
表7. DC芯片级规范
符号
V
在[5 ，6，7 ， 8]
V
INUSB [5 ，6，7 ， 8]
I
DD24
描述
电源电压
条件
没有USB活动。请参考表
DC POR和LVD
23页的规格。
USB活动，
USB调节器旁路
条件是VIN
3.0 V,
T
A
= 25 ℃， CPU = 24兆赫。
没有I / O源电流
条件是VIN
3.0 V,
T
A
= 25 ℃， CPU = 12兆赫。
没有I / O源电流
条件是VIN
3.0 V,
T
A
= 25 ℃， CPU = 6兆赫。
没有I / O源电流
VIN
3.0 V，T
A
= 25 ° C， I / O
稳压器关闭
VIN
3.0 V，T
A
= 25 ° C， I / O
稳压器关闭
民
1.9
典型值
–
最大
3.6
单位
V
工作电压
电源电流， IMO = 24 MHz的
3.15
–
3.3
2.88
3.45
4.00
V
mA
I
DD12
电源电流， IMO = 12 MHz的
–
1.71
2.60
mA
I
DD6
电源电流， IMO = 6 MHz的
–
1.16
1.80
mA
I
SB0
I
SB1
I
SBI2C
深度睡眠电流
待机电流，在POR ， LVD
和睡眠定时器
–
–
–
0.10
1.07
1.64
1.05
1.50
–
A
A
A
待机电流与我
2
启用条件VIN = 3.3 V ，
T
A
= 25℃和CPU = 24兆赫
笔记
5.如果在待机睡眠模式关闭电源，能正确检测并从VIN欠压条件有下列行为的，必须采取恢复：
断电之前使器件退出睡眠。
保证VIN低于100mV的电源备份前的。
坐落在OSC_CR0否巴兹位寄存器，以保持电压监控电路在睡眠时供电。
增加的嗡嗡声率，以确保VIN的下降沿被捕获。速率是通过PSSDC位在SLP_CFG寄存器配置。
对于引用的寄存器，请参阅安可V技术参考手册。在深度睡眠模式下，额外的低电源电压监控电路允许VIN
掉电条件的边沿速率低于1 V / ms的速度较慢检测。
6.总是大于50 mV以上V
PPOR1
电压下降的供应。
7.总是大于50 mV以上V
PPOR2
电压下降的供应。
8.永远大于50 mV以上V
PPOR3
电压下降的供应。
文件编号： 001-77748修订版* F
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