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的PSoC
3 ： CY8C36系列数据表
说明标题：的PSoC
3 ： CY8C36系列数据表可编程系统级芯片（的PSoC
)
（续）
文档编号： 001-53413
提交原稿。的
调整
ECN
变化的说明
日期
变化
*N
3645908 06/14/2012
MKEA
补充款澄清，以实现低休眠电流，必须限制
IO输入信号的频率。
修订后的IPOR的说明和澄清PRES期限。
改变的脚注注明，所有GPIO输入电压 - 不只是模拟电压
- 必须小于的Vddio 。
更新100 - TQFP封装图
运算放大器的电流输出规格澄清说明
改变“符合I2C ”到“兼容I2C ”
最新48 -QFN封装图
改变的复位状态寄存器的描述文字，以澄清，并非所有的复位源
当前正在使用的寄存器
更新比如PCB布局图
除去文字说明FTW是一个唤醒源
从1 V / ns的改变的供给升温速率规格为0.066 V / μs的
补充说：“基于字符”脚注电压监视器的响应时间规格
改变了模拟全球规格说明和值
增加了规范的ESDhbm何时Vssa连接和Vssd的是分开的
添加一份声明中有关JTAG编程和文件格式的支持
改变的比较规范和条件
添加文字描述闪存缓存，并更新相关文件
更改的文本并添加数字描述的Vddio源和汇
添加了有关JTAG编程和文件格式的支持声明。
改变的比较规范和条件
在Buzz频率可调添加文本
为“主”和“系统”时钟更新术语
删除文本“调试操作是可能的，而在设备复位”
删除，就在一定的功率斜坡SIO性能更新文本
条件
从升压提22 μH电感器中删除。这包括删除一些
图中的数字。
改变DAC的高和低的速度/功率模式描述和条件
改变IMO启动时间规范
对XRES和PRES重新武装次添加文本
有关使用情况的外部监管的模式添加文本
更新包图规范001-45616 ，以* D版本。
从1 V / ns的改变的供给升温速率规格为0.066 V / μs的
更改的文本描述SIO模式过压容限
增加了芯片的独立同规格的活跃和低功耗模式，支持多种电压，
温度和使用条件
增加了芯片的独立同规格的活跃和低功耗模式，支持多种电压，
温度和使用条件
更新Vref的温度漂移特性。加入Vref的图表和脚注。
DFB更新说明文字
改变的负载上限条件运算放大器规格
更新德尔-SIG ADC规格表，以取代“ 16位”三个实例与
“ 12位”
更新包图规范001-45616 ，以* D版本
*O
3648803 06/18/2012
WKA /
没有任何的变化。 EROS更新。
MKEA
文件编号： 001-53413修订版* Q
第127页129
