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CY8C28243 ， CY8C28403 ， CY8C28413
CY8C28433 ， CY8C28445 ， CY8C28452
CY8C28513 ， CY8C28533 ， CY8C28545
CY8C28623 ， CY8C28643 ， CY8C28645
DC模拟参考规格
下表列出了许可的最大和最小规格的电压和温度范围： 4.75 V至5.25 V
和-40°C
T
A
85°C ，或3.0 V至3.6 V和-40°C
T
A
85°C ，分别。典型参数适用于5 V和3.3 V在25℃
而仅作为设计指导。
保证规格为REFHI和RefLo的是通过模拟连续时间PSoC模块进行测量。电源
对于REFHI和RefLo的水平指的是模拟基准控制寄存器。 AGND在AGND旁路模式中测得的P 2 [4]。每
模拟连续时间PSoC模块最多可额外10mV的失调误差增加，从保证AGND规格
当地AGND缓冲区。参考控制功率可以被设置为中或高，除非另有说明。
记
避免使用依赖于模拟参考的模拟资源时使用P2 [ 4 ]数字信号。有些联轴器
的数字信号的可能出现在AGND 。
表34. 5 -V直流模拟参考规格
参考
ARF_CR
[5:3]
参考电源
设置
符号
参考
描述
民
典型值
最大
单位
0b000
RefPower =高
V
REFHI
运算放大器偏压=高
V
AGND
V
REFLO
RefPower =高V
REFHI
运算放大器偏压=低
V
AGND
V
REFLO
RefPower =
V
REFHI
中
运算放大器偏压=高V
AGND
V
REFLO
RefPower =
V
REFHI
中
运算放大器偏压=低V
AGND
V
REFLO
参考高
AGND
参考低
参考高
AGND
参考低
参考高
AGND
参考低
参考高
AGND
参考低
V
DD
/ 2 +带隙
V
DD
/2
V
DD
/ 2 - 能带隙
V
DD
/ 2 +带隙
V
DD
/2
V
DD
/ 2 - 能带隙
V
DD
/ 2 +带隙
V
DD
/2
V
DD
/ 2 - 能带隙
V
DD
/ 2 +带隙
V
DD
/2
V
DD
/ 2 - 能带隙
V
DD
/2 +
1.214
V
DD
/2 –
0.018
V
DD
/2 –
1.328
V
DD
/2 +
0.228
V
DD
/2 –
0.015
V
DD
/2 –
1.329
V
DD
/2 +
1.224
V
DD
/2 –
0.014
V
DD
/2 –
1.328
V
DD
/2 +
1.226
V
DD
/2 –
0.014
V
DD
/2 –
1.328
V
DD
/2 +
1.279
V
DD
/2 –
0.004
V
DD
/2 –
1.301
V
DD
/2 +
1.284
V
DD
/2 –
0.002
V
DD
/2 –
1.303
V
DD
/2 +
1.287
V
DD
/2 –
0.001
V
DD
/2 –
1.304
V
DD
/2 +
1.288
V
DD
/2 –
0.001
V
DD
/2 –
1.304
V
DD
/2 +
1.341
V
DD
/2 + 0.01
V
DD
/2 –
1.273
V
DD
/2 +
1.344
V
DD
/2 +
0.011
V
DD
/2 –
1.275
V
DD
/2 +
1.345
V
DD
/2 +
0.012
V
DD
/2 –
1.275
V
DD
/2 +
1.346
V
DD
/2 +
0.012
V
DD
/2 –
1.276
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
记
18. AGND宽容，包括在PSoC模块的本地缓冲区的偏移量。
文件编号： 001-48111修订版* L
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