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CY7C1381D
CY7C1383D
CY7C1383F
最大额定值
超出最大额定值，可能会损害的使用寿命
装置。对于用户的指引，没有测试。
存储温度............................... -65 ° C至+150°C
环境温度与
电源应用......................................... -55°C至+ 125 ℃，
在V电源电压
DD
相对于GND .....- 0.3 V至4.6 V
在V电源电压
DDQ
相对于GND .... -0.3 V至+ V
DD
直流电压应用到输出的
在三州........................................- 0.5 V到V
DDQ
+ 0.5 V
直流输入电压................................ -0.5 V到V
DD
+ 0.5 V
目前进入输出（ LOW ） ........................................ 20毫安
静电放电电压
（每MIL -STD -883方法3015 ） .......................... > 2001年V
闩锁电流.............................................. ...... > 200毫安
SEL
LMBU
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+85°C
V
DD
V
DDQ
3.3 V- 5 ％ / 2.5 V - 5％
+ 10%
V
DD
中子软错误免疫性
TEST
参数说明条件典型值最大值
[15]
单位
伦敦南岸大学
合乎逻辑的
单位
冷门
合乎逻辑的
多比特
冷门
单一事件
闭锁
25 °C
361
394
FIT /
Mb
FIT /
Mb
FIT /
开发
25 °C
0
0.01
85 °C
0
0.1
电气特性
在整个工作范围
参数
[16, 17]
V
DD
V
DDQ
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
X
描述
电源电压
I / O电源电压
测试条件
民
3.135
3.135
2.375
2.4
2.0
–
–
2.0
1.7
–0.3
–0.3
–5
–30
–
–5
–
–5
–
–
7.5 ns的周期，
133兆赫
10 ns的周期，
100兆赫
最大
3.6
V
DD
2.625
–
–
0.4
0.4
V
DD
+ 0.3 V
V
DD
+ 0.3 V
0.8
0.7
5
–
5
–
30
5
210
175
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mA
mA
对于3.3 V的I / O
对于2.5 V的I / O
输出高电压
对于3.3 V的I / O，I
OH
= -4.0毫安
对于2.5 V的I / O，I
OH
= -1.0毫安
输出低电压
对于3.3 V的I / O，I
OL
= 8.0毫安
对于2.5 V的I / O，I
OL
= 1.0毫安
[16]
输入高电压
对于3.3 V的I / O
对于2.5 V的I / O
[16]
输入低电压
对于3.3 V的I / O
对于2.5 V的I / O
输入漏电流除ZZ GND
V
I
V
DDQ
和MODE
模式的输入电流
ZZ的输入电流
输入= V
SS
输入= V
DD
输入= V
SS
输入= V
DD
GND
V
I
V
DD,
输出禁用
V
DD
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
CYC
I
OZ
I
DD
输出漏电流
V
DD
工作电源电流
笔记
在测试过程中发生的15号LMBU或SEL事件;这列代表一个统计C2 ， 95 ％可信限计算。欲了解更多详细信息，请参考应用笔记
AN54908 ，加速中子SER试验和地面故障率计算。
16.过冲： V
IH （AC）的
＆ LT ; V
DD
+ 1.5 V（脉冲宽度小于T
CYC
/ 2 ） ，下冲： V
白细胞介素（AC）的
> -2 V （脉冲宽度小于T
CYC
/2).
17. T
上电
：假设从0 V线性上升到V
DD （ MIN ）
在200 ms以内。在这段时间V
IH
＆ LT ; V
DD
和V
DDQ
＆ LT ; V
DD
.
文件编号： 38-05544牧师* P
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