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CY7C1380D
CY7C1380F
CY7C1382D
文档历史记录页
文档标题： CY7C1380D / CY7C1380F / CY7C1382D ， 18兆位（ 512K的× 36/1米× 18 ）流水线式SRAM
文件编号： 38-05543
启示录
**
*A
ECN号
254515
288531
服从
日期
见ECN
见ECN
原稿。的
变化
RKF
SYT
新的数据表。
更新
选购指南
（删除了225 MHz和133 MHz的频率
相关信息） 。
更新
IEEE 1149.1串行边界扫描（ JTAG ）
（为编辑说明
不遵守1149.1 ） 。
更新
电气特性
（删除了225 MHz和133 MHz的
频率相关的信息） 。
更新
开关特性
（删除了225 MHz和133 MHz的
频率相关的信息） 。
更新
订购信息
（加无铅信息100引脚TQFP ，
119球BGA和165球FBGA封装）和“添加注释无铅
下面的订购信息BG包的可用性“ 。
更新
销刀豆网络gurations
（地址扩展针脚/球的插脚引线
所有的包被修改为根据JEDEC标准） 。
更新
IEEE 1149.1串行边界扫描（ JTAG ）
（更新
TAP指令
SET
（更新
概观
（说明） ，更新
EXTEST
（说明）
额外
EXTEST输出总线三态） ） 。
更新
识别寄存器定义
（裂解的设备宽度（ 23:18 ）到
两行（一个119球BGA ，另一个是165球FBGA ） ，保留了
165球FBGA相同的价值观，改变了值从000000到101000
119球BGA ）
更新
电气特性
（修改测试条件为V
OL ，
V
OH
参数）。
更新
热阻
（变更
JA
和
JC
100引脚TQFP
从31和6包
° C / W
为28.66和4.08
° C / W
分别改变
JA
和
JC
从45和7 119球BGA封装
° C / W
23.8和
6.2
° C / W
分别改变
JA
和
JC
从165球FBGA封装
46和3
° C / W
20.7和4.0
° C / W
分别） 。
更新
订购信息
（更新部件号），并删除评论
下面的订购信息“无铅BG包的可用性” 。
改变现状，从初步到最后。
赛普拉斯半导体公司从“ 3901北已更改地址
第一街“到” 198冠军苑“ 。
更新
电气特性
（改变我的描述
X
参数
从输入负载电流为输入漏电流，改变了最小和
我最大值
X
参数（对应模式的输入电流）
从-5
A
30
A
-30
A
和5
A,
改变的最小和最大
的I值
X
参数从-30 （相当于ZZ的输入电流）
A
和
5
A
至-5
A
30
A,
更新说明
15).
更新
订购信息
（更新部件号），并更换包装
名称中的订购信息表，包图列。
更新
TAP交流开关特性
的t （更改最小值
TH
,
和T
TL
从25纳秒到20纳秒参数和t的最大值
TDOV
从5纳秒到10纳秒的参数）。
更新
最大额定值
（增加的最大额定值电源电压
在V
DDQ
相对于GND） 。
更新
订购信息
（更新部件号） 。
变化的说明
*B
326078
见ECN
PCI
*C
416321
见ECN
NXR
*D
475009
见ECN
VKN
文件编号： 38-05543牧师* N
第34页37
