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CY7C006A
开关波形
（续）
图7.写周期第1名： R / W控制时序
[21, 22, 23, 24]
t
WC
地址
t
HZOE
[26]
OE
t
AW
CE
[25]
t
SA
读/写
t
HZWE
[26]
数据输出
注27
t
PWE
[24]
t
HA
t
LZWE
注27
t
SD
t
HD
DATA IN
图8.写周期2： CE控制时序
[21, 22, 23, 28]
t
WC
地址
t
AW
CE
[25]
t
SA
读/写
t
SCE
t
HA
t
SD
DATA IN
t
HD
笔记
21. R / W或CE必须在所有的地址转换为高。
在重叠（T时22写
SCE
或T
PWE
）一低CE或扫描电镜。
23. t
HA
从CE或R / W或（ SEM或R / W）的早期测定变为高电平，在写周期的结束。
24.如果OE是低电平期间， R / W控制的写周期，写脉冲宽度必须满足t较大
PWE
或（T
HZWE
+ t
SD
），以允许在I / O驱动器关闭和数据是
放到总线上用于所需吨
SD
。如果OE为高电平期间，一个R / W控制的写周期，这要求不适和写脉冲可短的
特定网络编辑吨
PWE
.
25.要存取RAM ， CE = V
IL
，扫描电镜= V
IH
.
26.过渡测量± 500 mV的从稳态与5 - pF负载（包括范围和夹具） 。这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
27.在此期间， I / O引脚的输出状态，输入信号不能被应用。
28.如果CE或SEM低电平转变同时发生或在R / W低的跳变后，输出保持在高阻抗状态。
文件编号： 38-06045牧师* G
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