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CY62147EV30的MoBL
汽车
开关波形
（续）
图8.写周期第1号：我们控制
[26, 27, 28, 29]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
AW
t
SA
WE
t
PWE
t
HA
BHE / BLE
t
BW
OE
数据I / O
注30
t
SD
数据
IN
t
HZOE
t
HD
图9.写周期2： CE受控
[26, 27, 28, 29]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
SA
WE
t
AW
t
PWE
t
HA
BHE / BLE
t
BW
OE
t
SD
数据I / O
注30
t
HD
数据
IN
t
HZOE
笔记
26. BGA封装器件在单个CE和CE双选件提供。本数据手册，对于双CE设备， CE是指CE的内部逻辑组合
1
和CE
2
这样，当CE
1
为低和CE
2
为高电平，CE为低。对于所有其他情况下， CE为高电平。
27.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE ，BLE或两者= V
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何
这些信号可以终止执行的写操作将无效。的数据输入的设置和保持时间必须参考该终止写信号的边缘。
28.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
29.如果CE同时变为高电平与WE = V
IH
时，输出保持在高阻抗状态。
30.在此期间， I / O是输出状态。不适用的输入信号。
文件编号： 001-66256修订版**
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