CY62128E的MoBL
开关波形
图6.读周期1 （地址转换控制）
[20, 21]
t
RC
RC
地址
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
[21, 22, 23]
图7.读周期2号（ OE控制）
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
数据输出
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
LZCE
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
50%
高
阻抗
I
CC
I
SB
图8.写周期第1号（我们控制）
[23, 24, 25, 26]
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
AW
t
SA
WE
t
PWE
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
注27
t
HZOE
笔记
20.设备被连续地选择。 OE ，CE
1
= V
IL
，CE
2
= V
IH
.
21.我们是高读周期。
22.地址有效之前或类似CE
1
过渡LOW和CE
2
变为高电平。
23. CE是CE的逻辑组合
1
和CE
2
。当CE
1
为低和CE
2
为高电平，CE为低;当CE
1
为高或CE
2
为低，CE为高电平。
24.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何这些信号都可以
中止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间必须参考该终止写信号的边缘。
25.数据I / O是，如果OE = V高阻
IH
.
26.如果CE
1
变为高电平或CE
2
变为低电平时同时WE高电平时，输出保持在高阻抗状态。
27.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号必须不被应用。
t
HD
数据有效
文件编号： 38-05485牧师* K
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