CY14MB064J1A/CY14MB064J2A
CY14ME064J1A/CY14ME064J2A
的nvSRAM产品规格
在该
工作范围
参数
t
FA
t
店[ 14 ]
t
DELAY [15 ， 16 ]
t
VCCRISE[16]
V
开关
t
WAKE
t
睡觉
t
SB [16]
[13]
描述
上电召回时间
STORE周期的持续时间
时间可以完成SRAM写周期
V
CC
上升时间
低电压触发电平
时间的nvSRAM从睡眠模式唤醒
时间发出SLEEP指令后进入低功耗模式
时间发出停止条件后，进入待机模式
CY14MB064J
CY14ME064J
民
–
–
–
150
–
–
–
–
–
最大
20
8
25
–
2.65
4.40
20
8
100
单位
ms
ms
ns
s
V
V
ms
ms
s
开关波形
图31.自动存储或电设置
[17]
V
CC
V
开关
t
VCCRISE
自动存储
记
14
t
商店
记
14
t
商店
t
延迟
电源 -
UP
召回
阅读&写
抑制
（RWI ）
上电
召回
阅读&写
棕色
OUT
自动存储
上电
t
延迟
t
FA
t
FA
阅读&写
召回
动力
下
自动存储
笔记
13. t
FA
开始从时间V
CC
上升超过V
开关。
14.如果一个SRAM写入并没有从上次的非易失性周期发生，没有自动存储发生。
15.在一个自动存储开始，SRAM写操作继续启用时间t
延迟
.
16.这些参数由设计保证，未经测试。
存储，调用时17读取和写入周期被忽略，而V
CC
低于V
开关。
文件编号： 001-70393修订版* I
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