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EDE1104AASE ， EDE1108AASE
突发写带自动预充电[ WRITA ]
如果A10为高时发出的写命令时，具有自动预充电功能写入从事。在DDR2
SDRAM自动开始预充电操作完成后突发写入加上写恢复时间
（ tWR的） 。进行自动预充电从完成的写突发的银行可以，如果被重新激活
下面的两个条件都满足。
（ 1）数据在银行激活延迟时间（ tWR的+ tRP）内一直满足。
（2）从以前的库激活的/ RAS周期时间（ tRC的）已被满足。
T0
/ CK
CK
命令
A10 = 1
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T12
发布
WRIT
NOP
法案
DQS ， / DQS
WL = RL -1 = 2
＆ GT ;
=
tWR的
in0
＆ GT ;
=激进党
DQ
in1
in2
in3
＆ GT ;
=
TRC
突发写入完成
自动预充电开始
突发写带自动预充电（TRC限制） （ WL = 2 ， tWR的= 2 ，激进党= 3 ）
T0
/ CK
CK
命令
A10 = 1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
发布
WRIT
NOP
NOP
法案
DQS ， / DQS
WL = RL -1 = 4
＆ GT ;
=
tWR的
in0
in1
＆ GT ;
=激进党
DQ
in2
in3
＆ GT ;
=
TRC
突发写入完成
自动预充电开始
突发写带自动预充电（ tWR的+激进党） （ WL = 4 ， tWR的= 2 ，激进党= 3 ）
数据表E0404E20 （版本2.0 ）
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