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8.8.3
锁定区域
8.8.3.1 SAM7S512
两个嵌入式闪存控制器，每个管理16锁定位以保护闪光灯，防止意外闪光的16个地区
擦除或编程。该SAM7S512包含32锁定区域，每个锁定区域包含64页
256个字节。每个锁地区拥有16 KB的大小。
如果出现锁定区域的擦除或编程命令，该命令将被中止，并在MC_FSR洛克位
寄存器上升，如果洛克位已被写入在1在MC_FMR寄存器中的中断信号线上升。
16个NVM位（或32位NVM ）是通过相应的EFC用户接口的软件编程。该
命令“设置锁定位”启用保护。命令“清除锁定位”解锁锁定区域。
将ERASE拉高将清除锁定位，从而解锁整个Flash 。
8.8.3.2 SAM7S256
内置Flash控制器管理16个锁定位以保护闪光灯的16个区域，防止意外擦除闪存
或编程。该SAM7S256包含16锁定区域，每个锁定区域包含64页，每页256
字节。每个锁地区拥有16 KB的大小。
如果出现锁定区域的擦除或编程命令，该命令将被中止，并在MC_FSR洛克位
寄存器上升，如果洛克位已被写入在1在MC_FMR寄存器中的中断信号线上升。
16个NVM位可以通过EFC用户接口的软件编程。命令“设置锁定位”使
保护。命令“清除锁定位”解锁锁定区域。
将ERASE拉高将清除锁定位，从而解锁整个Flash 。
8.8.3.3 SAM7S128
内置Flash控制器管理8锁定位以保护闪光灯的8个区域，防止意外擦除或
编程命令。该SAM7S128包含8个锁定区域，每个锁定区域包含64页，每页256字节。
每个锁地区拥有16 KB的大小。
如果出现锁定区域的擦除或编程命令，该命令将被中止，并在MC_FSR洛克位
寄存器上升，如果洛克位已被写入在1在MC_FMR寄存器中的中断信号线上升。
8个NVM位可以通过EFC用户接口的软件编程。命令“设置锁定位”使
保护。命令“清除锁定位”解锁锁定区域。
将ERASE拉高将清除锁定位，从而解锁整个Flash 。
8.8.3.4 SAM7S64
内置Flash控制器管理16个锁定位以保护闪光灯的16个区域，防止意外擦除闪存
或编程。该SAM7S64包含16锁定区域，每个锁定区域包含32页， 128
字节。每个锁定区域有4 KB的大小。
如果出现锁定区域的擦除或编程命令，该命令将被中止，并在MC_FSR洛克位
寄存器上升，如果洛克位已被写入在1在MC_FMR寄存器中的中断信号线上升。
16个NVM位可以通过EFC用户接口的软件编程。命令“设置锁定位”使
保护。命令“清除锁定位”解锁锁定区域。
将ERASE拉高将清除锁定位，从而解锁整个Flash 。
8.8.3.5 SAM7S321 / 32
内置Flash控制器管理8锁定位以保护闪光灯的8个区域，防止意外擦除或
编程命令。该SAM7S321 / 32包含8个锁定区域，每个锁定区域包含32页， 128
字节。每个锁定区域有4 KB的大小。
如果出现锁定区域的擦除或编程命令，该命令将被中止，并在MC_FSR洛克位
寄存器上升，如果洛克位已被写入在1在MC_FMR寄存器中的中断信号线上升。
SAM7S系列[数据表]
6175M–ATARM–26-Oct-12
23
