PolarP
TM
功率MOSFET
P沟道增强模式
额定雪崩
TO- 263 AA （ IXTA ）
IXTA10P50P
IXTP10P50P
IXTQ10P50P
IXTH10P50P
R
DS （ ON）
V
DSS
I
D25
=
=
≤
- 500V
- 10A
1Ω
Ω
TO- 220AB （ IXTP ）
TO-3P （ IXTQ ）
G
S
D（ TAB ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒
塑料机身10秒
安装扭矩（ TO- 3P ， TO- 220 & TO- 247 ）
TO-263
TO-220
TO-3P
TO-247
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C，R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
, V
DD
≤
V
DSS
, T
J
≤
150°C
T
C
= 25°C
G
DS
D（ TAB ）
最大额定值
- 500
- 500
±20
±30
- 10
- 30
- 10
1.5
10
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
1.13/10
2.5
3.0
5.5
6.0
V
V
V
V
A
A
A
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
g
g
g
G
D
S
D（ TAB ）
TO- 247 （ IXTH ）
G
D
S
D（ TAB ）
D
=漏
TAB =漏
G =门
S =源
特点
国际标准封装
额定雪崩
坚固PolarP
TM
过程
低封装电感
快速内在二极管
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0V时，我
D
= - 250μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250μA
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
- 500
- 2.0
- 4.0
V
V
应用
高边开关
推挽放大器
直流斩波器
自动测试设备
电流调节器
±100
nA
- 10
μA
- 250
μA
1
Ω
V
GS
= -10V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
2012 IXYS公司，版权所有
DS99911C(12/12)
